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资料编号:407525
资料名称:
IRG4BC20KD-S
文件大小: 222.96K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
: 点此下载
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irg4bc20kd-s
2
www.irf.com
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
34
51
I
C
= 9.0a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
4.9
7.4
nC
V
CC
= 400v
看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
14
21
V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
54
—
t
r
上升 时间
—
34
—
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
180
270
I
C
= 9.0a, v
CC
= 480v
t
f
下降 时间
—
72
110
V
GE
= 15v, r
G
= 50
Ω
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.34
—
活力 losses 包含 "tail"
E
止
转变-止 切换 丧失
—
0.30
—
mJ
和 二极管 反转 恢复
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.64
0.96
看 图. 9,10,14
t
sc
短的 电路 承受 时间
10
——
µs
V
CC
= 360v, t
J
= 125
°
C
V
GE
= 15v, r
G
= 50
Ω
, v
CPK
< 500v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
51
—
T
J
= 150
°
c,
看 图. 11,14
t
r
上升 时间
—
37
—
I
C
= 9.0a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
220
—
V
GE
= 15v, r
G
= 50
Ω
t
f
下降 时间
—
160
—
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.85
—
mJ
和 二极管 反转 恢复
L
E
内部的 发射级 电感
—
7.5
—
nH
量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
—
450
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
61
—
pF
V
CC
= 30v
看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
—
14
—ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
—
37
55
ns
T
J
= 25
°
c 看 图.
—
55
90
T
J
= 125
°
c 14 i
F
= 8.0a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
—
3.5
5.0
一个
T
J
= 25
°
c 看 图.
—
4.5
8.0
T
J
= 125
°
c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
—
65
138
nC
T
J
= 25
°
c 看 图.
—
124
360
T
J
= 125
°
c 16 di/dt = 200aµs
di
(rec)m
/dt
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
—
240
—
一个/µs
T
J
= 25
°
c 看 图.
在 t
b
—
210
—
T
J
= 125
°
c 17
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
∆
V
(br)ces
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—
0.49
—
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
—
2.27
2.8
I
C
= 9.0a
V
GE
= 15v
—
3.01
—
VI
C
= 16a
看 图. 2, 5
—
2.43
—
I
C
= 9.0a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压
3.0
—
6.0
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-10
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
2.9
4.3
—
SV
CE
= 100v, i
C
= 9.0a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
250
µA
V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
——
1000
V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
—
1.4
1.7
V
I
C
= 8.0a
看 图. 13
—
1.3
1.6
I
C
= 8.0a, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100
nA
V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns
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