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资料编号:407823
 
资料名称:IRKH136-04
 
文件大小: 381.02K
   
说明
 
介绍:
THYRISTOR/DIODE and THYRISTOR/THYRISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irk.136, .142, .162 序列
2
公告 i27117 rev. c 03/02
www.irf.com
类型 号码 电压
V
RRM
/v
DRM
, 最大 repetitive V
RSM
/v
DSM
, 最大 非-repetitive
I
rrm /
I
DRM
代号
顶峰 反转 电压 顶峰 反转 电压
@ 125°c
vvm 一个
irk.136 04 400 500 50
irk.142 08 800 900
irk.162 12 1200 1300
14 1400 1500
16 1600 1700
I
t(av)
最大值 平均 在-状态 电流 135 140 160 一个 180° 传导, half sine 波
@ 情况 温度 85 85 85 °C
I
t(rms)
最大值 rms 在-状态 电流 300 310 355 一个 作 交流 转变
I
TSM
最大 顶峰, 一个-循环 3200 4500 4870 一个 t = 10ms 电压
在-状态, 非-repetitive 3360 4712 5100 t = 8.3ms reapplied
surge 电流 2700 3785 4100 t = 10ms 100% v
RRM
2800 3963 4300 t = 8.3ms reapplied sine half 波,
I
2
t 最大 i
2
t 为 fusing 51.5 102 119 KA
2
s t = 10ms 非 电压 最初的 t
J
= t
J
最大值
47 92.5 108 t = 8.3ms reapplied
36.5 71.6 84 t = 10ms 100% v
RRM
33.3 65.4 76.7 t = 8.3ms reapplied
I
2
t 最大 i
2
t 为 fusing 515.5 1013 1190 KA
2
s t = 0.1 至 10ms, 非 电压 reapplied
V
T
(至)1
低 水平的 值 的 门槛 0.86 0.83 0.8 V (16.7% x
π
x i
t(av)
< i <
π
x i
t(av)
), @ t
J
最大值
电压
V
T
(至)2
高 水平的 值 的 门槛 1.05 1 0.98 (i >
π
x i
T
(av)
), @ t
J
最大值
电压
r
t1
低 水平的 值 在-状态 2.02 1.78 1.67 m
(16.7% x
π
x i
T
(av)
< i <
π
x i
T
(av)
), @ t
J
最大值
斜度 阻抗
r
t2
高 水平的 值 在-状态 1.65 1.43 1.38 (i >
π
x i
T
(av)
), @ t
J
最大值
斜度 阻抗
V
TM
最大 向前 电压 漏出 1.57 1.55 1.54 V I
TM
=
π
x i
t(av)
, t
J
= 25°c, 180°conduction
I
H
最大 支持 电流 200 毫安 anode 供应 = 6v 最初的 i
T
= 30a, t
J
= 25°c
I
L
最大 闭锁 电流 400 毫安 anode 供应 = 6v resistive 加载 = 1
门 脉冲波: 10v, 100µs, t
J
= 25°c
t
gd
典型 延迟 时间 1 T
J
= 25
o
C 门 电流=1a dig/
dt
=1a/µs
t
gr
典型 上升 时间 2 µs T
J
= 25
o
C vd=0,67% v
DRM
t
q
典型 转变-止 时间 50 - 200 I
TM
= 300 一个; -di/dt = 15 一个/µs; t
J
= t
J
最大值
V
r
= 50 v; dv/dt = 20 v/µs; 门 0 v, 100
参数 irk.136 irk.142 irk.162 单位 情况
向前 传导
切换
电的 规格
电压 比率
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