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资料编号:408039
 
资料名称:IRL3102S
 
文件大小: 90.92K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013w, Id=61A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRL3102S
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 20 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
D
V
(br)dss
/
D
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.016 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
––– ––– 0.015 V
GS
= 4.5v, i
D
= 37a
––– ––– 0.013
W
V
GS
= 7.0v, i
D
= 37a
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.70 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 36 ––– ––– S V
DS
= 16v, i
D
= 35a
––– ––– 25
µA
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 10v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100
nA
V
GS
= 10v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -10v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 58 I
D
= 35a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 14 nC V
DS
= 16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 21 V
GS
= 4.5v, 看 图. 6

t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 10 ––– V
DD
= 10v
t
r
上升 时间 ––– 130 –––
ns
I
D
= 35a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 80 ––– R
G
= 9.0
w,
V
GS
= 4.5v
t
f
下降 时间 ––– 110 ––– R
D
= 0.28
w,

在 含铅的,
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 2500 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 1000 ––– pF V
DS
= 15v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 360 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
I
SD
£
35a, di/dt
£
100a/µs, v
DD
£
V
(br)dss
,
T
J
£
150°C
注释:
开始 t
J
= 25°c, l = 0.36mh
R
G
= 25
W
, i
= 35a.
脉冲波 宽度
£
300µs; 职责 循环
£
2%.
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)

––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 37a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 59 88 ns T
J
= 25°c, i
F
= 35a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 110 160 nC di/dt = 100a/µs

t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
61
240
一个
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
GSS
nH
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 –––
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
使用 irl3102 数据 和 测试 情况
** 当 挂载 在 fr-4 板 使用 最小 推荐 footprint.
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
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