参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 -20 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -5.6
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -4.5 一个
I
DM
搏动 流 电流
-45
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 2.0
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗 1.3
直线的 减额 因素 0.016 w/°c
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
31 mJ
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
01/13/03
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
62.5 °c/w
热的 阻抗
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IRLMS6802
HEXFET
电源 场效应晶体管
这些 p-频道 mosfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处
提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的 设备 为
使用 在 电池 和 加载 管理 产品.
这 micro6
包装 和 它的 customized 引线框架
生产 一个 hexfet
电源 场效应晶体管 和 r
ds(在)
60%
较少 比 一个 类似的 大小 sot-23. 这个 包装 是 完美的 为
产品 在哪里 打印 电路 板 空间 是 在 一个
premium. 这 唯一的 热的 设计 和 r
ds(在)
减少
使能 一个 电流-处理 增加 的 nearly 300%
对照的 至 这 sot-23.
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.050
Ω
描述
过激 低 在-阻抗
p-频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
顶 视图
1
2
D
G
一个
D
D
D
S
3
4
5
6
Micro6
pd- 91848e
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