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资料编号:408091
 
资料名称:IRLU3802
 
文件大小: 143.62K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com
标识
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
––– 0.81 1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= 12a, v
GS
= 0v

––– 0.65 ––– T
J
= 125°c, i
S
= 12a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 52 78 ns T
J
= 25°c, i
F
= 12a, v
R
=20V
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 54 81 nC di/dt = 100a/µs
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 50 75 ns T
J
= 125°c, i
F
= 12a, v
R
=20V
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 50 75 nC di/dt = 100a/µs
S
D
G
二极管 特性
84
320
V
SD
二极管 向前 电压
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 12 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆Β
V
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
––– 0.009 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
––– 6.5 8.5 V
GS
= 4.5v, i
D
= 15a

––– ––– 30 V
GS
= 2.8v, i
D
= 12a
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.6 ––– 1.9 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压 系数 ––– -3.2 ––– mv/°c
––– ––– 100
µA
V
DS
= 9.6v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 9.6v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 200 V
GS
= 12v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -200
nA
V
GS
= -12v
g
fs
向前 跨导 31 ––– ––– S V
DS
= 6.0v, i
D
= 12a
Q
g
总的 门 承担 ––– 27 41
Q
gs1
前-vth 门-源 承担 ––– 3.6 ––– V
DS
= 6.0v
Q
gs2
邮递-vth 门-源 承担 ––– 2.0 ––– V
GS
= 5.0v
Q
gd
门-至-流 承担 ––– 10 ––– nC I
D
= 6.0a
Q
godr
门 承担 overdrive ––– 11 ––– 看 图.16
Q
sw
转变 承担 (q
gs2
+
Q
gd
) ––– 12 –––
Q
oss
输出 承担 ––– 28 ––– nC V
DS
= 10v, v
GS
= 0v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 11 ––– V
DD
= 6.0v, v
GS
= 4.5v
t
r
上升 时间 ––– 14 ––– ns I
D
= 12a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 21 ––– clamped inductive 加载
t
f
下降 时间 ––– 17 –––
C
iss
输入 电容 ––– 2490 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 2150 ––– pF V
DS
= 6.0v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 530 ––– ƒ = 1.0mhz
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
m
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
标识 参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
––– 300 mJ
I
AR
avalanche 电流
––– 20 一个
avalanche 特性
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