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资料编号:408113
 
资料名称:IRLML6401
 
文件大小: 142.08K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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www.irf.com 7
含铅的 assignments
1 - 门
2 - 源
3 - 流
L
3X 3X
C
θ
A1
- c -
b 3x
一个
e
e1
0.008 (.003)
3
1
2
E
- 一个 -
- b -
D
H
0.20 ( .008 ) m 一个 m
DIM
英寸 毫米
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 .032 .044 0.82 1.11
a1 .001 .004 0.02 0.10
b .015 .021 0.38 0.54
c .004 .006 0.10 0.15
d .105 .120 2.67 3.05
e .0750 基本 1.90 基本
e1 .0375 基本 0.95 基本
e .047 .055 1.20 1.40
h .083 .098 2.10 2.50
l .005 .010 0.13 0.25
θ
0° 8° 0° 8°
0.10 (.004) m c 一个 s b s
最小 推荐 footprint
0.80 ( .031 )
3X
2.00
( .079 )
0.95 ( .037 )
2X
0.90
( .035 )
3X
3
3
3
注释:
1. dimensioning &放大; tolerancing 每 ansi y14.5m-1982.
2. controlling 维度 : inch.
维度 做 不 包含 模型 flash.
     


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