HEXFET
®
电源 场效应晶体管
seventh 一代 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 极其
低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快
切换 速 和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其
效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有 商业的-工业的
产品 在 电源 消耗 水平 至 大概 50 watts. 这
低 热的 阻抗 和 低 包装 费用 的 这 至-220 contribute 至
它的 宽 acceptance 全部地 这 工业.
S
D
G
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 160
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 110
一个
I
DM
搏动 流 电流
640
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 200 W
直线的 减额 因素 1.3 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
620 mJ
I
AR
avalanche 电流
95 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
20 mJ
dv/dt 顶峰二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3srew 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
热的 阻抗
V
DSS
= 40v
R
ds(在)
= 4.0m
Ω
I
D
= 160a
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
www.irf.com 1
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.75
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
(pcb 挂载)
––– 62
至-220ab
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