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资料编号:408131
 
资料名称:IRL2703S
 
文件大小: 134.61K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRL2703S
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
v , drain-至-sourceVoltage (v)
一个
V=0v,f=1M Hz
C=C+C,CSH或者TE D
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0 4 8 12 16 20
Q, total gate charge (nc)
G
V, gate-至-sourceVoltage (v)
GS
一个
为 测试 电路
SEE URE 13
V=24V
V=15V
I=14A
DS
DS
D
1
10
100
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
t = 25°C
J
V=0V
GS
v , 源-至-流 电压 (v)
i , reverseDrain current (一个)
SD
SD
一个
t = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
V, dra在-至-源 voltage (v)
DS
i , drain current (一个)
运算E R一个TIONTH是 一个 RE 一个LIMITE D
BY R
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
T=25°C
T=175°C
单独的 脉冲波
C
J
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