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IRL2910
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V=0V,         f =1MHz
C=C+C,   cSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
oss        ds         gd
C
是s
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0 40 80 120 160 200
Q, total gateCharge (nc)
G
v     , gate-至-source voltage (v)
GS
V=80V
V=50V
V=20V
一个
为 测试 电路
看 图示 13
i    =29一个
DS
DS
DS
D
10
100
1000
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
t  = 25°c
J
V=0V
GS
v     , 源-至-流 电压 (v)
i     , reverseDra在 current (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100 1000
V, dra在-至-sourceVoltage (v)
DS
i   , 流 电流 (一个)
OPERATION在 这个一个RE一个LIMITE D
BYR
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
t     =25°C
t     =175°C
Sin
gle P u lse
C
J

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IRL2910 图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 1 10 100 c, 电容 (pf) DS V, drain-至-source voltage (v) 一个 V=0V, f =1MHz C=C+C, cSHORTE D C=C C=C+C GS issgsgdds rssgd oss ds gd C 是s C oss C rss 0 3 6 9 12 15 0 40 80 120 160 200 Q, total gateCharge (nc) G v , gate-至-source voltage (v) GS V=80V V=50V V=20V 一个为测试电路看图示 13 i =29一个 DS DS DS D 10 100 1000 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 t = 25°c J V=0V GS v , 源-至-流电压 (v) i , reverseDra在 current (一个) SD SD 一个 t = 175°c J 1 10 100 1000 1 10 100 1000 V, dra在-至-sourceVoltage (v) DS i , 流电流 (一个) OPERATION在这个一个RE一个LIMITE D BYR D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 t =25°C t =175°C Sin gle P u lse C J

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