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资料编号:408142
 
资料名称:IRL3705N
 
文件大小: 106.74K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRL3705N
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
图 2.
典型 输出 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V, dra在-至-源 voltage (v)
DS
一个
20µs脉冲波 wIDTH
T= 25°c
J
VGS
顶 15v
12V
10V
8.0v
6.0v
4.0v
3.0v
BOTTOM2.5v
2.5v
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V, dra在-至-源 voltage (v)
DS
一个
20µs脉冲波 wIDTH
T= 175°C
VGS
顶 15v
12V
10V
8.0v
6.0v
4.0v
3.0v
BOTTOM2.5v
2.5V
J
1
10
100
1000
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
t =25°C
J
GS
v ,Gate-至-所以urce 电压(v)
D
I, dr一个在--s ourceC urrent (一个 )
t = 175°c
J
一个
V =25V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
t , junction temperature (°c)
R , drain-至-s ource on resistance
ds(在)
(非rm一个lized)
V =10V
GS
一个
I=77一个
D
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