参数 典型值 最大值 单位
R
JC
接合面-至-情况 ––– 2.0
R
JA
接合面-至-包围的 ( pcb 挂载,稳步的-状态)** ––– 40
HEXFET
电源 场效应晶体管
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的
处理 技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围.
这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和 加固 设备
设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这
设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性
的 产品.
这 d
2
pak 是 一个 表面 挂载 电源 包装 有能力 的 accommodating 消逝
sizes 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高的 电源 能力 和 这 最低
可能 在-阻抗 在 任何 存在 表面 挂载 包装. 这 d
2
pak 是
合适的 为 高 电流 产品 因为 的 它的 低 内部的 连接
阻抗 和 能 dissipate 向上 至 2.0w 在 一个 典型 表面 挂载 应用.
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -24
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -17 一个
I
DM
搏动 流 电流
-96
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 75 W
直线的 减额 因素 0.5 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 8.0 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
290 mJ
I
AR
avalanche 电流
-12 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
7.5 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
-0.81 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
热的 阻抗
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.042
I
D
= -24a
先进的 处理 技术
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
p-频道
快 切换
全部地 avalanche 评估
5/11/99
www.irf.com 1
S
D
G
2
DPak
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