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S
D
G
S
D
G
Electrical characteristics@ t
J
=25°c (unlessotherwise规格ified)
参数 最小值 Typ. 最大值 单位
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压
55 ––– ––– V
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
––– 0.055 ––– v/°c
––– 6.5 8.0
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– ––– 11
m
Ω
––– ––– 12
V
gs(th)
门 门槛 电压
1.0 ––– 3.0 V
gfs 向前 跨导
150 ––– ––– V
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
––– ––– 20 µA
––– ––– 250
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏
––– ––– 200 nA
门-至-源 反转 泄漏
––– ––– -200
Q
g
总的 门 承担
––– 40 60
Q
gs
门-至-源 承担
––– 12 ––– nC
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
––– 21 –––
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
––– 17 –––
t
r
上升 时间
––– 240 ––– ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
––– 26 –––
t
f
下降 时间
––– 83 –––
L
D
内部的 流 电感
––– 4.5 ––– 在 含铅的,
nH 6mm (0.25in.)
L
S
内部的 源 电感
––– 7.5 ––– 从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容
––– 2880 –––
C
oss
输出 电容
––– 420 –––
C
rss
反转 转移 电容
––– 220 ––– pF
C
oss
输出 电容
––– 1500 –––
C
oss
输出 电容
––– 330 –––
C
oss
eff.
有效的 输出 电容
––– 510 –––
源-流 ratings 和 特性
参数 最小值 Typ. 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 75
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 340
(Body二极管)
Ã
V
SD
二极管 向前 voltage––––––1.3v
t
rr
反转 recovery时间 –––1624ns
Q
rr
反转 recoveryCharge–––7.411nc
t
在
向前 转变-在 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
V
GS
= 5.0v
e
V
DD
= 28v
I
D
= 43a
R
G
= 4.3
Ω
T
J
= 25°c, i
S
= 52a, v
GS
= 0v
e
T
J
= 25°c, i
F
= 43a, v
DD
= 28v
di/dt = 100a/µs
e
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 52a
e
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
场效应晶体管 标识
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
情况
V
GS
= 5.0v
e
V
GS
= 0v
V
DS
= 25v
ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 44v, ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 44v
f
V
GS
= 5.0v, i
D
= 43a
e
V
DS
= 25v, i
D
= 52a
I
D
= 43a
V
DS
= 44v
V
GS
= 16v
V
GS
= -16v
V
GS
= 4.5v, i
D
= 30a
e
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