IRLR2905Z
IRLU2905Z
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
= 55v
R
ds(在)
= 13.5m
Ω
I
D
= 42a
www.irf.com 1
automotive 场效应晶体管
pd - 95848
specifically 设计 为 automotive 产品, 这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 运用 这 最新的 处理 技巧 至
达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 额外的
特性 的 这个 设计 是 一个 175°c 接合面 运行 tempera-
ture, 快 切换 速 和 改进 repetitive avalanche
比率 . 这些 特性 联合的 至 制造 这个 设计 一个 极其
效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 automotive 产品 和
一个 宽 多样性 的 其它 产品.
S
D
G
描述
●
逻辑 水平的
●
先进的 处理 技术
●
过激 低 在-阻抗
●
175°c 运行 温度
●
快 切换
●
repetitive avalanche 允许 向上 至 tjmax
特性
d-pak
IRLR2905Z
i-pak
IRLU2905Z
HEXFET
®
是 一个 注册 商标 的 国际的 整流器.
绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
(硅 限制)
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
(包装 限制)
I
DM
Pulsed drainCurrent
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗 W
直线的 减额 因素 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 V
E
作 (thermally 限制)
Single pulseAvalanche energy
d
mJ
E
作
(测试 )
Single pulseAvalanche energyTested value
h
I
AR
一个valanche current
Ã
一个
E
AR
RepetitiveAvalanche energy
g
mJ
T
J
运行 接合面 和
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
Juncti在-至-Case
j
––– 1.38
R
θ
JA
Juncti在-至-Ambient(pcb挂载)
ij
––– 40 °c/w
R
θ
JA
Juncti在-至-Ambient
j
––– 110
-55 至 + 175
300 (1.6mm 从 情况 )
10 lbf
y
在 (1.1n
y
m)
110
0.72
± 16
最大值
60
43
240
42
85
57
看 图.12a, 12b, 15, 16
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