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资料编号:408163
 
资料名称:IRLR9343
 
文件大小: 245.95K
   
说明
 
介绍:
DIGITAL AUDIO MOSFET
 
 


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2 www.irf.com
S
D
G
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 -55 ––– ––– V
∆Β
V
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– -52 ––– mv/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 93 105
m
––– 150 170
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 ––– ––– V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压 系数 ––– -3.7 ––– mv/°c
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– -2.0 µA
––– ––– -25
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100
g
fs
向前 跨导 5.3 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– 31 47
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 7.1 –––
V
GS
= -10v
Q
gd
门-至-流 承担 ––– 8.5 –––
I
D
= -14a
Q
godr
门 承担 overdrive ––– 15 ––– 看 图. 6 和 19
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 9.5 –––
t
r
上升 时间 ––– 24 –––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 21 ––– ns
t
f
下降 时间 ––– 9.5 –––
C
iss
输入 电容 ––– 660 –––
C
oss
输出 电容 ––– 160 ––– pF
C
rss
反转 转移 电容 ––– 72 –––
C
oss
有效的 输出 电容 ––– 280 –––
L
D
内部的 流 电感 ––– 4.5 ––– 在 含铅的,
nH 6mm (0.25in.)
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 ––– 从 包装
avalanche 特性
参数 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
mJ
I
AR
avalanche 电流

一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
mJ
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
@ t
C
= 25°c
持续的 源 电流 ––– ––– -20
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– -60
(身体 二极管)

V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 57 86 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 120 180 nC
V
GS
= -4.5v, i
D
= -2.7a
––– 120
看 图. 14, 15, 17a, 17b
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
V
DS
= -55v, v
GS
= 0v
V
DS
= -55v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
V
GS
= -20v
V
GS
= 20v
I
D
= -14a
典型值 最大值
ƒ = 1.0mhz, 看 图.5
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 -44v
V
GS
= 0v
T
J
= 25°c, i
F
= -14a
di/dt = 100a/µs
T
J
= 25°c, i
S
= -14a, v
GS
= 0v
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
情况
V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
V
GS
= -10v, i
D
= -3.4a
场效应晶体管 标识
R
G
= 2.5
V
DS
= -25v, i
D
= -14a
V
DS
= -44v
情况
和 中心 的 消逝 联系
V
DD
= -28v, v
GS
= -10v

V
DS
= -50v
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