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资料编号:408199
 
资料名称:IRL530A
 
文件大小: 233.97K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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IRL530A
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. i
D
= 250
µ
一个
BV
DSS
, (normalized)
流-源 损坏 电压
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
直流
100
µ
s
1 ms
10 ms
@ 注释 :
1. t
C
= 25
o
C
2. t
J
= 175
o
C
3. 单独的 脉冲波
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds(在)
I
D
, 流 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
25 50 75 100 125 150 175
0
3
6
9
12
15
I
D
, 流 电流 [a]
T
c
, 情况 温度 [
o
C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
单独的 脉冲波
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
d=0.5
@ 注释 :
1. z
θ
JC
(t)=2.41
o
c/w 最大值
2. 职责 因素, d=t
1
/t
2
3. t
JM
-t
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
Z
θ
JC
(t) , 热的 回馈
t
1
, 正方形的 波 脉冲波 持续时间 [sec]
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
@ 注释 :
1. v
GS
= 5 v
2. i
D
= 7 一个
R
ds(在)
, (normalized)
流-源 在-阻抗
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
n-频道
电源 场效应晶体管
图 7. 损坏 电压 vs. 温度 图 8. 在-阻抗 vs. 温度
图 11. 热的 回馈
图 10. 最大值 流 电流 vs. 情况 温度图 9. 最大值 safe 运行 范围
P
DM
t
1
t
2
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