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资料编号:409152
 
资料名称:IS61LV12824-10B
 
文件大小: 77.67K
   
说明
 
介绍:
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS61LV12824
ISSI
®
4
整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
rev. D
06/22/05
运行 范围
范围 包围的 温度 V
CC
(8 ns) V
CC
(10 ns)
商业的 0°c 至 +70°c 3.3v + 10%, – 5% 3.3v ± 10%
工业的 –40°c 至 +85°c 3.3v + 10%, – 5% 3.3v ± 10%
直流 电的 特性
(在 运行 范围)
标识 参数 测试情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 V
CC
= 最小值., i
OH
= –4.0 毫安 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
CC
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+ 0.3 V
V
IL
输入 低 电压
(1)
–0.3 0.8 V
I
LI
输入 泄漏
V
V
CC
–1 1 µA
I
LO
输出 泄漏
V
输出
V
CC
, 输出 无能 –1 1 µA
便条:
1. V
IL
(最小值.) = –0.3v 直流; v
IL
(最小值.) = –2.0v 交流 (脉冲波 宽度
2.0 ns).
V
IH
(最大值.) = v
CC
+ 0.3v 直流; v
IH
(最大值.) = v
CC
+ 2.0v 交流 (脉冲波 宽度
2.0 ns).
绝对 最大 比率
(1)
标识 参数 单位
V
CC
电源 供应 电压 相关的 至 地 –0.5 至 5.0 V
V
终端 电压 和 遵守 至 地 –0.5 至 vcc + 0.5 V
T
STG
存储 温度 –65 至 + 150 °C
T
偏差
温度 下面 偏差: com. –10 至 + 85 °C
ind. –45 至 + 90 °C
P
T
电源 消耗 2.0 W
I
输出
直流 输出 电流 ±20 毫安
便条:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 永久的
损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者
任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不
暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
真实 表格
模式
WEWE
WEWE
我们
CE1CE1
CE1CE1
CE1
CE2
CE2CE2
CE2CE2
CE2
OEOE
OEOE
OE
i/o0-i/o23 vcc 电流
不 选择 X H X X X 高-z I
SB
1
, i
SB
2
XXLXX
XXXHX
输出 无能 H L H L H 高-z I
CC
H L H L L D
输出
I
CC
L L H L X D
I
CC
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