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资料编号:409168
 
资料名称:IS61C1024-12KI
 
文件大小: 80.04K
   
说明
 
介绍:
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS61C1024
IS61C1024L
整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
3
sr028-1k
05/12/99
ISSI
®
绝对 最大 比率
(1)
标识 参数 单位
V
终端 电压 和 遵守 至 地 –0.5 至 +7.0 V
T
偏差
温度 下面 偏差 –55 至 +125
°
C
T
STG
存储 温度 –65 至 +150
°
C
P
T
电源 消耗 1.5 W
I
输出
直流 输出 电流 (低) 20 毫安
注释:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
电容
(1,2)
标识 参数 情况 最大值 单位
C
输入 电容 V
= 0v 5 pF
C
输出
= 0v 7 pF
注释:
1. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
2. 测试 情况: t
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz, vcc = 5.0v.
直流 电的 特性
(在 运行 范围)
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 V
CC
= 最小值., i
OH
= –4.0 毫安 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
CC
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+ 0.5 V
V
IL
输入 低 电压
(1)
–0.3 0.8 V
I
LI
V
V
CC
com. –2 2
µ
一个
ind. –5 5
I
LO
输出 泄漏
V
输出
V
CC
com. –2 2
µ
一个
输出 无能 ind. –5 5
便条:
1. V
IL
= –3.0v 为 脉冲波 宽度 较少 比 10 ns.
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