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资料编号:409238
资料名称:
IS61LV25616-10LQ
文件大小: 94.05K
说明
:
介绍
:
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
8
整体的 硅 解决方案, 公司
—
1-800-379-4774
rev.
B
09/29/00
IS61LV25616
ISSI
®
注释:
1.
写 是 一个 内部 发生 信号 asserted 在 一个 overlap 的 这 低 states 在 这
CE
和
我们
输入 和 在 least 一个 的
这
LB
和
UB
输入 正在 在 这 低 状态.
2.
写 = (
CE
)
[
(
LB
) = (
UB
)
]
(
我们
).
交流 波形
写 循环 非. 1
(
CE
控制,
OE
是 高 或者 低)
(1
)
数据 未阐明的
t
WC
有效的 地址
t
SCE
t
PWE1
t
PWE2
t
AW
t
HA
高-z
t
PBW
t
HD
t
SA
t
HZWE
地址
CE
ub, lb
我们
D
输出
D
在
数据
在
有效的
t
LZWE
t
SD
ub_cewr1.eps
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