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ITC117P
rev. x
ITC117P
单独的 晶体管
典型 集电级 电流 vs. 向前 电流
(v
CE
= 0.5v)
I
F
(毫安)
I
C
(毫安)
0
2468 1210 14 16 18 20
12
10
8
6
4
2
0
ITC117P
darlington 晶体管
典型 集电级 电流 vs. 向前 电流
(v
CE
= 0.5v)
I
F
(毫安)
I
C
(毫安)
0
2468 1210 14 16 18 20
16
14
12
10
8
6
4
2
0
ITC117P
darlington 晶体管
典型 normalized ctr vs. 向前 电流
(v
CE
= 0.8v)
I
F
(毫安)
normalized ctr (%)
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
20
ITC117P
darlington 晶体管
典型 normalized ctr vs. 温度
(v
CE
= 0.8v)
温度 (
°
c)
normalized ctr (%)
-40
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-20 0 20 40 60 80 100
1mA
2mA
5mA
10mA
15mA
20mA
0
0
8
4
16
12
24
20
28
123456
78
910
1mA
10mA
5mA
2mA
ITC117P
典型 转移 特性 的
单独的 晶体管 探测器
集电级 发射级 电压
集电级 电流 (毫安)
ITC117P
典型 转移 特性 的
darlington 晶体管
集电级 发射级 电压
集电级 电流 (毫安)
0246810
20
40
60
80
100
120
I
b
= 2
µ
一个
I
b
= 4
µ
一个
I
b
= 6
µ
一个
I
b
= 8
µ
一个
I
b
= 10
µ
一个
效能 data*
*the 效能 数据 显示 在 这 graphs 在之上 是 典型 的 设备 效能. 为 有保证的 参数 不 表明 在 这 写 规格, 请 联系
我们的 应用 department.