绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (便条 11) 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+0.3v
电源 消耗 (注释 3, 12) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2000V
静电释放 Susceptibility (便条 5) 200V
接合面 温度 150˚C
热的 阻抗
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(msop) 190˚c/w
θ
JA
(9 Bump 微观的 smd) (便条 15) 180˚c/w
θ
JA
(llp) 63˚c/w (便条 13)
θ
JC
(llp) 12˚c/w (便条 13)
焊接 信息
看 一个-1187 "无铅
引线框架 包装 (llp)."
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.2v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 这 电路 显示 在 图示 1, 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4990
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流
V
在
= 0v, I
o
= 0a, 非 加载 3 7 毫安 (最大值)
V
在
= 0v, I
o
= 0a, 8
Ω
加载 4 10 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
SD
=V
SD 模式
(便条 8) 0.1 2.0 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 V
SD 模式
=V
DD
1.5 V
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 V
SD 模式
=V
DD
1.3 V
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 V
SD 模式
= 地 1.5 V
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 V
SD 模式
= 地 1.3 V
V
OS
输出 补偿 电压 7 50 mV (最大值)
R
输出
电阻 输出 至 地 (便条 10) 8.5
9.7 k
Ω
(最大值)
7.0 k
Ω
(最小值)
P
o
输出 电源 (8
Ω
) THD+N = 1% (最大值); f = 1kHz 1.25 0.9 W (最小值)
(4
Ω
) (注释 13, 14) THD+N = 1% (最大值); f = 1kHz 2 W
T
WU
wake-向上 时间 100 ms
THD+N+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.5wrms; f = 1kHz 0.2 %
PSRR 电源 供应 拒绝 比率
V
波纹
= 200mV sine p-p
输入 terminated 和 10
Ω
60 (f =
217hz)
64 (f = 1khz)
55 dB (最小值)
电的 特性 V
DD
=3V
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 这 电路 显示 在 图示 1, 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4990
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流
V
在
= 0v, I
o
= 0a, 非 加载 2 7 毫安 (最大值)
V
在
= 0v, I
o
= 0a, 8
Ω
加载 3 9 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
SD
=V
SD 模式
(便条 8) 0.1 2.0 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 V
SD 模式
=V
DD
1.1 V
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 V
SD 模式
=V
DD
0.9 V
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 V
SD 模式
= 地 1.3 V
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 V
SD 模式
= 地 1.0 V
V
OS
输出 补偿 电压 7 50 mV (最大值)
R
输出
电阻 输出 至 地 (便条 10) 8.5
9.7 k
Ω
(最大值)
7.0 k
Ω
(最小值)
LM4990
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