绝对 最大 比率
(注释 1, 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (note1) 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
电压 在 任何 输入 管脚 V
DD
+ 0.3v
≥
V
≥
地 - 0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 7.0kv
静电释放 Susceptibility (便条 5) 250V
接合面 温度 (t
J
) 150˚C
热的 阻抗
θ
JA
(微观的 smd) 220˚c/w
θ
JA
(msop ) 190˚c/w
θ
JC
(msop) 56˚c/w
焊接 信息
看 一个-1112 "microsmd Wafers 水平的 碎片 规模
包装."
运行 比率
(便条 2)
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.7v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5V 和 R
L
=15µH+8
Ω
+ 15µH 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
=
25˚c.
标识 参数 情况
LM4667
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 8)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, 非 加载
V
在
= 0v, R
L
=15µH+8
Ω
+ 15µH
8
9
毫安
毫安
I
SD
关闭 电流 V
SD
= 地 (便条 9) 0.01 µA
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 1.2 V
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 1.1 V
V
GSIH
增益 选择 输入 高 1.2 V
V
GSIL
增益 选择 输入 低 1.1 V
一个
V
关闭 循环 增益 V
增益 选择
=V
DD
6dB
一个
V
关闭 循环 增益 V
增益 选择
= 地 12 dB
V
OS
输出 补偿 电压 10 mV
T
WU
wake-向上 时间 5 ms
P
o
输出 电源 THD = 2% (最大值), f = 1kHz 1.3 W
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
O
= 100mW
RMS
;f
在
= 1kHz 0.8 %
R
在
差别的 输入 阻抗
V
增益 选择
=V
DD
90 k
Ω
V
增益 选择
= 地 60 k
Ω
PSRR 电源 供应 拒绝 比率
V
波纹
= 100mV
RMS
sine 波
输入 terminated 至 地
55
(f = 217hz)
dB
V
波纹
= 100mV
RMS
sine 波
P
输出
= 10mw,1khz
65
(f = 217hz)
dB
CMRR 一般 模式 拒绝 比率 V
波纹
= 100mV
RMS
,
f
波纹
= 217Hz
41 dB
SNR 信号 至 噪音 比率 P
O
=1W
RMS
; 一个-weighted 过滤 83 dB
e
输出
输出 噪音 一个-weighted 过滤, V
在
= 0V 200 µV
LM4667
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