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IXBD4410
IXBD4411
和 遵守 至 kg 在 im.
当 这 command arrives 至 转变
在 这 电源 场效应晶体管 设备, 这
cmos 转变 shorting im 至 kg 是
转变 止. 这 驱动 电源 场效应晶体管
设备 是 切换 在 大概
100 ns 至 1
µ
s 后来的, 和 和 典型
加载 情况, 它的 流-至-源
潜在的, v
DS
, 将 引领 一个 额外的
10
µ
s 的 延迟 至 collapse 至 这 正常的
在-状态 电压 水平的. 至 阻止 false
triggering 预定的 至 这个, c8 或者 c12 在
并行的 结合体 和 r10 和 r11,
或者 r13 和 r14, 延迟 这 im 输入
信号. 在 这个 转变-在 间隔, 这
电压 横过 c8 或者 c12 将 上升 直到
这 电源 场效应晶体管 设备 最终
comes 在 和 pulls 这 电压 横过
c8 或者 c12 后面的 向下. 如果 这 场效应晶体管
设备 加载 电路 是 短接, 它的 v
DS
电压 不能 collapse 在 转变-在. 在
这个 情况, 这 电压 横过 c8 或者 c12
rises 迅速 直到 它 reaches 300 mv,
tripping 这 故障 flip-flop 和 关闭
向下 这 驱动器 输出. 在 这 一样
时间, c8 或者 c12 必须 是 保持 小
足够的 那 这 增加 延迟 做 不
慢 向下 这 发现 的 一个 短的
电路 事件 所以 更 那 这 电源
场效应晶体管 设备 失败 在之前 这 驱动器
realizes 那 它 是 在 trouble.
三 阶段 发动机 控制
图. 8 是 一个 块 图解 的 一个 典型 3-
阶段 pwm 电压-源 反相器
图. 8: 典型 3-阶段 发动机 控制 系统 块 图解
发动机 控制. 这 电源 电路
组成 的 六 电源 切换 transis-
tors 和 freewheeling 二极管 周围
各自 的 它们. 这 控制 函数 将
是 执行 digitally 用 一个 microproces-
sor, 微控制器, dsp 碎片, 或者 用户
custom ic; 或者 它 将 是 执行 用 一个
pc 板 全部 的 随机的 逻辑 和
相似物 电路. 在 任何 的 这些 具体情况,
这 pwm command 为 所有 六 电源
晶体管 是 发生 在 一个 电路,
和 这个 电路 是 通常地 涉及 至
系统 地面 潜在的 - 这 bottom
终端 的 这 电源 桥.
这 isosmart™ 家族 的 驱动器 是
这 接口 在 这 world 的
控制 逻辑 和 这 world 的 电源, 5 v
输入 逻辑 commands precisely 控制
actions 在 高 电压 和 电流
(1200 v 和 100 一个 在 一个 典型 applica-
tion). 图. 6 是 一个 详细地 图式 的
一个 阶段 的 三 3-阶段 发动机
控制, 表明 这 interconnection 的
这 ixbd4410/4411 和 它的 有关联的
电路系统.
pcb 布局 仔细考虑
这 ixbd4410/4411 是 将 至 是
使用 在 高 电压, 高 速, 高
dv/dt 产品.
至 确保 恰当的 运作, 好 小心
必须 是 带去 在 laying 输出 这 打印
电路 板. 这 布局 核心的 areas
包含 这 交流 links, 电流
sense, 门 驱动, 和 供应 绕过-
ing.
这 交流 path 应当 是 作
短的 作 可能. 增加 电感
disturbs 这 频率 回馈 的 这
信号 path, 和 这些 distortions 将
导致 false triggering 在 这 接受者.
这 变压器 应当 是 放置
在 这 二 ics 和 这 方向
的 一个 ic 使反转 (图. 9).
电容 在 这 高- 和 低-
一侧 应当 是 使减少到最低限度. 非 信号
查出 应当 run underneath 这
交流 path, 和 高- 和 低-
一侧 查出 应当 是 separated 在 这
pcb. 这 dv/dt 的 这 高-一侧 在
电源 平台 切换 将 导致 false
逻辑 transitions 在 低-一侧 电路 预定的
至 电容的 连接.
这 低 信号 脉冲波 变压器
提供 这 分开 在 高-和
低-一侧 电路. 为 460 v~ 线条
运作, 一个 间隔 的 4 mm 是 recom-
mended 在 低- 和 高-一侧
电路, 和 一个 变压器 hipot
规格 的 在 least 1500 v~ 是
必需的. 这个 creep 间隔 是 通常地
足够的 至 控制 泄漏 电流 在
这 pcb 和 向上 至 1200 v~ 应用
之后 10 至 15 年 的 accumulated dust
和 particulates 在 一个 标准 工业的
环境. 在 其它 环境, 或者
在 其它 线条 电压, 这个 间隔
应当 是 appropriately 修改.
这 电流 sense/desaturation 发现
输入 是 噪音 敏感的. 这 300 mv trip
要点 是 涉及 至 这 kg (kelvin
地面) 管脚, 和 这 应用 信号 必须
是 保持 作 clean 作 可能, 一个 过滤 是
推荐, preferably 一个 大而单一的
陶瓷的 电容 放置 作 关闭 至 这
ic 作 可能 直接地 在 im 和
kg. 至 preserve 最大 噪音
免除, 这 kg 管脚 应当 第一 是
连接 直接地 至 这 lg 管脚, 和 这
一双 然后 sent 直接地 至 这 电源
晶体管 源/发射级 终端, 或者 (如果 一个
desaturation 发现 电路 是 使用) 至
这 bottom 的 这 分隔物 电阻 chain.
所有 供应 管脚 必须 是 绕过 和 一个
低 阻抗 电容 (preferably
大而单一的 陶瓷的 构建) 和
最小 含铅的 长度. 这 输出 驱动器
平台 牵引 2 一个 (典型) 电流 在
transitions 在 di/dt 值 在 excess 的
100 一个/
µ
s. 供应 线条 电感 将
导致 供应 和 地面 bounce 在 这
碎片 那 能 导致 问题 (逻辑
振动 和, 在 severe 具体情况,
可能 获得-向上 失败) 没有 恰当的
bypassing. 这些 绕过 elements 是
在 增加 至 这 reservoir 电容
必需的 为 这 负的 vee
供应 和
这 高-一侧 bootstrapped 供应 如果
这些 特性 是 使用.
电源 电路 噪音 仔细考虑
在 一个 典型 晶体管 反相器, 这 输出
场效应晶体管 将 转变 在 或者 止 和 di/dt
>500 一个/
µ
s. referring 至 图.10 和
假设 那 这 场效应晶体管 源
终端 有 一个 一个 inch path 在 这 pcb
至 系统 地面, 一个 电压 作 高 作
v = 27 nh • 500 一个/
µ
s = 13.5 v 能 是
开发.
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