© 2004 ixys 所有 权利 保留
IXBD4410
IXBD4411
标识 定义 最大 比率
V
DD
/v
EE
供应 电压 -0.5 ... 24 V
V
在
输入 电压 (inh, inl) -0.5...v
DD
+0.5 V
I
在
输入 电流 (inl, inh, im)
±
10 一个
I
o
(rev)
顶峰 反转 输出 电流 (输出) 2 一个
P
D
最大 电源 消耗 (t
一个
= 25
°
c) 600 mW
P
D
T
C
= 25
°
c (16-管脚 soic) 10 W
T
一个
运行 包围的 温度 -40 ... 85
°
C
T
JM
最大 接合面 温度 150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -55 ... 150
°
C
T
L
含铅的 焊接 温度 为 10 s 300
°
C
R
thJA
1.67 k/w
R
thJC
(16-管脚 soic) 10 k/w
推荐 运行 情况
V
DD
/v
EE
供应 电压 10 ... 20 V
V
DD
/lg
10 ... 16.5 V
L
Gh
/l
Gl
最大 一般 模式 dv/dt
±
50 v/ns
标识 定义/情况 典型的 值
(t
一个
= 25
°
c, v
DD
= 15 v, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
inl, inh 输入 (涉及 至 lg)
V
t+
积极的-going 门槛 3.65 V
V
t-
负的-going 门槛 1 V
V
ih
输入 hysteresis 1 V
I
在
输入 泄漏 电流/v
在
=V
DD
或者 lg -1 1
µ
一个
C
在
输入 电容 10 pF
打开 流 故障 输出 (涉及 至 lg)
V
oh
hi 输出/r
pu
= 10 k
Ω
至 v
DD
V
DD
-0.05 V
V
ol
lo 输出/i
o
= 4 毫安 0.3 0.5 V
输出 输出 (涉及 至 lg)
V
oh
hi 输出/i
o
= -5 毫安 V
DD
-0.05 V
V
ol
lo 输出/i
o
= 5 毫安 V
EE
+0.05 V
R
o
输出 hi res./i
o
= -0.1 一个 3 5
Ω
R
o
输出 lo res./i
o
= 0.1 一个 3 4
Ω
I
pk
顶峰 输出 电流/c
L
= 10 nf 1.5 2 一个
im 输入 (涉及 至 kg)
V
t+
积极的-going 门槛 0.24 0.3 0.45 V
C
在
输入 电容 10 pF
R
s
shorting 设备 输出 阻抗 50 75 100
Ω
vee 供应 (涉及 至 lg)
V
EE
输出 电压/i
o
= 1 毫安, c
o
= 1
µ
F -5 -6.5 -7.5 V
I
输出
输出 电流/v
输出
= 0.70 • v
EE
-20 -25 毫安
f
inv
反相的 频率 600 kHz
V
EEF
欠压 故障 indication -3 -4.8 V
维度 在 inch (1" = 25.4 mm)
16-管脚 soic
16-管脚 塑料 插件
消逝 基质
连接 至 tab
终止 视图
: 点此下载
