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资料编号:413062
 
资料名称:IXDD404SIA
 
文件大小: 666.03K
   
说明
 
介绍:
4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
 
 


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初步的 数据 薄板
ixdd404pi/404si/404sia/404si-16
除非 否则 指出, t
一个
= 25
o
c, 4.5v
V
CC
25V
.
所有 电压 度量 和 遵守 至 地. ixdd404 配置 作 描述 在
测试 情况
. 所有 规格 是 为 一个 频道.
电的 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
IH
高 输入 电压 3.5 V
V
IL
低 输入 电压 0.8 V
V
输入 电压 范围 -5 V
CC
+ 0.3 V
I
输入 电流
0V
V
V
CC
-1010
µ
一个
V
OH
高 输出 电压 V
CC
- 0.025 V
V
OL
低 输出 电压 0.025 v
R
OH
输出 阻抗
@ 输出 高
I
输出
= 10ma, v
CC
= 18v
1.5 3
R
OL
输出 阻抗
@ 输出 低
I
输出
= 10ma, v
CC
= 18v 1.5 3
I
顶峰
顶峰 输出 电流 V
CC
是 18v
4 一个
I
直流
持续的 输出
电流
1 一个
V
EN
使能 电压 范围 - 0.3 vcc + 0.3 V
V
ENH
高 en 输入 电压 2/3 vcc V
V
ENL
低 en 输入 电压 1/3 vcc V
t
R
上升 时间 C
L
=1800pf vcc=18v 11 12 15 ns
t
F
下降 time C
L
=1800pf vcc=18v 12 14 17 ns
t
ONDLY
在-time 传播
延迟
C
L
=1800pf vcc=18v 33 34 38 ns
t
OFFDLY
止-时间 传播
延迟
C
L
=1800pf vcc=18v 28 30 35 ns
t
ENOH
使能 至 输出 高
延迟 时间
30 ns
t
DOLD
使不能运转 至 输出 低
使不能运转 延迟 时间
30 ns
V
CC
电源 供应 电压 4.5 18 25V
I
CC
电源 供应 电流 V
= 3.5v
V
= 0v
V
= + v
CC
1
0
3
10
10
毫安
µ
一个
µ
一个
R
EN
使能 拉-向上 电阻 200
k
绝对 最大 比率
(便条 1)
参数 值
供应 电压 25 v
所有 其它 管脚 -0.3 v 至 v
CC
+ 0.3 v
接合面 温度
150
o
C
存储 温度
-65
o
c 至 150
o
C
含铅的 温度 (10 秒)
300
o
C
运行 比率
参数 值
运行 温度 范围
-40
o
c 至 85
o
C
热的 阻抗 (至 包围的)
8 管脚 pdip (pi) (
θ
JA
)
120
o
c/w
8 管脚 soic (si) (
θ
JA
)
110
o
c/w
8 管脚 soic (sia) (
θ
JA
)
120
o
c/w
16 管脚 soic (si-16) (
θ
JA
)
110
o
c/w
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