特性
• 建造 使用 这 有利因素 和 兼容性
的 cmos 和 ixys hdmos
TM
处理.
• 获得-向上 保护
• 高 顶峰 输出 电流: 14a 顶峰
• 宽 运行 范围: 4.5v 至 25v
• 能力 至 使不能运转 输出 下面 faults
• 高 电容的 加载
驱动 能力: 15nf 在 <30ns
• matched 上升 和 下降 时间
• 低 传播 延迟 时间
• 低 输出 阻抗
• 低 供应 电流
产品
• 驱动 mosfets 和 igbts
• 限制的 di/dt 下面 短的 电路
• 发动机 控制
• 线条 驱动器
• 脉冲波 发生器
• local 电源 开关 转变
• 转变 模式 电源 供应 (smps)
• 直流 至 直流 转换器
• 脉冲波 变压器 驱动器
• 类 d 切换 放大器
第一 释放
版权 © ixys 公司 2001 专利权 pending
一般 描述
这 ixdd414 是 一个 高 速 高 电流 门 驱动器
specifically 设计 至 驱动 这 largest mosfets 和
igbts 至 它们的 最小 切换 时间 和 最大
实际的 频率 限制. 这 ixdd414 能 源 和
下沉 14a 的 顶峰 电流 当 producing 电压 上升 和
下降 时间 的 较少 比 30ns. 这 输入 的 这 驱动器 是
兼容 和 ttl 或者 cmos 和 是 全部地 不受影响 至
获得 向上 在 这 全部 运行 范围. 设计 和
小 内部的 延迟, 交叉 传导/电流 shoot-
通过 是 virtually eliminated 在 这 ixdd414. 它的 特性
和 宽 安全 余裕 在 运行 电压 和 电源
制造 这 ixdd414 unmatched 在 效能 和 值.
这 ixdd414 包含 一个 唯一的 能力 至 使不能运转 这
输出 下面 故障 情况. 当 一个 logical 低 是
强迫 在 这 使能 输入, 两个都 最终 输出 平台
mosfets (nmos 和 pmos) 是 转变 止. 作 一个
结果, 这 输出 的 这 ixdd414 enters 一个 tristate 模式
和 achieves 一个 软 转变-止 的 这 场效应晶体管/igbt 当
一个 短的 电路 是 发现. 这个 helps 阻止 损坏
那 可以 出现 至 这 场效应晶体管/igbt 如果 它 是 至 是
切换 止 abruptly 预定的 至 一个 dv/dt 在-电压 tran-
sient.
这 ixdd414 是 有 在 这 标准 8-管脚 p-插件 (pi),
5-管脚 至-220 (ci) 和 在 这 至-263 (yi) surface-mount
包装.
200 k
ixdd414pi / 414yi / 414ci
14 放大 低-一侧 ultrafast 场效应晶体管 驱动器
图示 1 - 函数的 图解
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