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资料编号:413086
 
资料名称:IXDD414PI
 
文件大小: 243.73K
   
说明
 
介绍:
14 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
 
 


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2
ixdd414pi/414yi/414ci
除非 否则 指出, t
一个
= 25
o
c, 4.5v
V
CC
25V
.
所有 电压 度量 和 遵守 至 地. ixdd414 配置 作 描述 在
测试 情况
.
电的 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
IH
高 输入 电压 3.5 V
V
IL
低 输入 电压 0.8 V
V
输入 电压 范围 -5 V
CC
+ 0.3 V
I
输入 电流
0V
V
V
CC
-1010
µ
一个
V
OH
高 输出 电压 V
CC
- 0.025 V
V
OL
低 输出 电压 0.025 v
R
OH
输出 阻抗
@ 输出 高
I
输出
= 10ma, v
CC
= 18v
600 1000
m
R
OL
输出 阻抗
@ 输出 低
I
输出
= 10ma, v
CC
= 18v 600 1000
m
I
顶峰
顶峰 输出 电流 V
CC
是 18v
14 一个
I
直流
持续的 输出
电流
8 管脚 插件 (pi)
(限制 用 pkg 电源 消耗)
to220 (ci), to263 (yi)
3
4
一个
一个
V
EN
使能 电压 范围 - 0.3 vcc + 0.3 V
V
ENH
高 en 输入 电压 2/3 vcc V
V
ENL
低 en 输入 电压 1/3 vcc V
t
R
上升 时间 C
L
=15nf vcc=18v 23 25 29 ns
t
F
下降 时间 C
L
=15nf vcc=18v 21 22 26 ns
t
ONDLY
在-时间 传播
延迟
C
L
=15nf vcc=18v 29 30 33 ns
t
OFFDLY
止-时间 传播
延迟
C
L
=15nf vcc=18v 29 31 34 ns
t
ENOH
使能 至 输出 高
延迟 时间
vcc=18v 40 ns
t
DOLD
使不能运转 至 输出 低
使不能运转 延迟 时间
vcc=18v 30 ns
V
CC
电源 供应 电压 4.5 18 25V
I
CC
电源 供应 电流 V
= 3.5v
V
= 0v
V
= + v
CC
1
0
3
10
10
毫安
µ
一个
µ
一个
REN 使能 拉-向上 电阻 200
k
绝对 最大 比率
(便条 1)
参数 值
供应 电压 25 v
所有 其它 管脚 -0.3 v 至 v
CC
+ 0.3 v
电源 消耗, t
包围的
25
o
C
8 管脚 pdip (pi) 975mW
to220 (ci), to263 (yi) 12W
减额 factors (至 包围的)
8 管脚 pdip (pi)
7.6mw/
o
C
to220 (ci), to263 (yi)
0.1w/
o
C
存储 温度
-65
o
c 至 150
o
C
含铅的 温度 (10 秒)
300
o
C
运行 比率
参数 值
最大 接合面 温度
150
o
C
运行 温度 范围
-40
o
c 至 85
o
C
热的 阻抗 (接合面 至 情况)
to220 (ci), to263 (yi) (
θ
JC
)
0.55
o
c/w
规格 主题 至 改变 没有 注意
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