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资料编号:413220
 
资料名称:IXFE44N60
 
文件大小: 83.03K
   
说明
 
介绍:
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号IXFE44N60的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixfe 44n60
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
=
I
T
,
便条:1
30 45 S
C
iss
8900 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 1000 pF
C
rss
330 pF
t
d(在)
42 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
=
I
T
55 ns
t
d(止)
R
G
= 1
(外部), 110 ns
t
f
45 ns
Q
g(在)
330 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
=
I
T
60 nC
Q
gd
65 nC
R
thJC
0.25 k/w
R
thCK
0.07 k/w
源-流 二极管 典型的
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v 44 一个
I
SM
repetitive; 176 一个
脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 1.3 V
便条:1
t
rr
I
F
= 50a, -di/dt = 100 一个/
µ
s, v
R
= 100 v 250 ns
Q
RM
1.4
µ
C
I
RM
8A
isoplus-227 b
请 看 ixfn44n60 数据 薄板
为 典型的 曲线.
便条: 1. 脉冲波 测试, t
300
µ
s, 职责 循环 d
2 %
2. 测试 电流
I
T
= 22a
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