2 - 2
© 2000 ixys 所有 权利 保留
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
= 0.5 • i
D25
便条 1 40 77 S
C
iss
9100 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 2200 pF
C
rss
1000 pF
t
d(在)
40 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
65 ns
t
d(止)
R
G
= 1
(外部), 110 ns
t
f
35 ns
Q
g(在)
360 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
50 nC
Q
gd
170 nC
R
thJC
0.22 k/w
R
thCK
0.15 k/w
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v 120 一个
I
SM
repetitive; 480 一个
脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 便条 1 1.5 V
t
rr
250 ns
Q
RM
1.1
C
I
RM
13 一个
I
F
= 50a,-di/dt = 100 一个/
s, v
R
= 100 v
ixfk 120n20
ixfx 120n20
便条: 1.脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
PLUS247
TM
(ixfx) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.83 5.21 .190 .205
一个
1
2.29 2.54 .090 .100
一个
2
1.91 2.16 .075 .085
b 1.14 1.40 .045 .055
b
1
1.91 2.13 .075 .084
b
2
2.92 3.12 .115 .123
C 0.61 0.80 .024 .031
D 20.80 21.34 .819 .840
E 15.75 16.13 .620 .635
e 5.45 bsc .215 BSC
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 3.81 4.32 .150 .170
Q 5.59 6.20 .220 .244
R 4.32 4.83 .170 .190
Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.82 5.13 .190 .202
A1 2.54 2.89 .100 .114
A2 2.00 2.10 .079 .083
b 1.12 1.42 .044 .056
b1 2.39 2.69 .094 .106
b2 2.90 3.09 .114 .122
c 0.53 0.83 .021 .033
D 25.91 26.16 1.020 1.030
E 19.81 19.96 .780 .786
e 5.46 bsc .215 bsc
J 0.00 0.25 .000 .010
K 0.00 0.25 .000 .010
L 20.32 20.83 .800 .820
L1 2.29 2.59 .090 .102
P 3.17 3.66 .125 .144
Q 6.07 6.27 .239 .247
Q1 8.38 8.69 .330 .342
R 3.81 4.32 .150 .170
R1 1.78 2.29 .070 .090
S 6.04 6.30 .238 .248
T 1.57 1.83 .062 .072
维度
至-264 aa 外形
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
: 点此下载
