ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixgh 40n60 ixgm 40n60
ixgh 40n60a ixgm 40n60a
至-247 ad 外形
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= i
C90
; v
CE
= 10 v, 25 35 S
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
C
ies
4500 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 300 pF
C
res
60 pF
Q
g
200 250 nC
Q
ge
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
45 80 nC
Q
gc
88 120 nC
t
d(在)
100 ns
t
ri
200 ns
t
d(止)
600 ns
t
fi
40N60A 200 ns
E
止
40N60A 3 mJ
t
d(在)
100 ns
t
ri
200 ns
E
在
4mJ
t
d(止)
600 1000 ns
t
fi
40N60 600 2000 ns
40N60A 300 800 ns
E
止
40N60 12 mJ
40N60A 6 mJ
R
thJC
0.5 k/w
R
thCK
0.25 k/w
inductive 加载, t
J
= 25
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 100
µ
H
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 22
Ω
切换 时间 将 增加
为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
至-204ae 外形
1 = 门
2 = 集电级
3 = 发射级
tab = 集电级
1 = 门
2 = 发射级
情况 = 集电级
inductive 加载, t
J
= 125
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v,
l = 100
µ
H
V
CE
= 0.8 v
CES
,
R
G
= r
止
= 22
Ω
remarks: 切换 时间
将 增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
, 高等级的
T
J
或者 增加 r
G
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