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资料编号:413330
 
资料名称:IXGH30B60BD1
 
文件大小: 114.38K
   
说明
 
介绍:
HiPerFASTTM IGBT with Diode
 
 


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© 2000 ixys 所有 权利 保留
c (tab)
g = 门, c = 集电级,
e = 发射级, tab = 集电级
G
C
E
至-247 ad
(ixgh)
98510c (7/00)
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
BV
CES
I
C
一个, v
GE
= 0 v 600 V
V
ge(th)
I
C
= 250
CE
GE
2.5 5.0 V
I
CES
V
CE
= 0.8 • v
CES
T
J
= 25
C 200
一个
V
GE
= 0 v T
J
= 150
C3mA
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
20 v
100 nA
V
ce(sat)
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v 1.8 V
标识 测试 情况 最大 比率
V
CES
T
J
= 25
c 至 150
C 600 V
V
CGR
T
J
GE
600 V
V
GES
持续的
20 V
V
GEM
瞬时
30 V
I
C25
T
C
= 25
C60A
I
C90
T
C
= 90
C30A
I
CM
T
C
= 25
c, 1 ms 120 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
VJ
= 125
c, r
G
= 10
I
CM
= 60 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载, l = 100
H @ 0.8 v
CES
P
C
T
C
= 25
C 200 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
最大 含铅的 和 tab 温度 为 焊接 300
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
M
d
挂载 torque, 至-247 ad 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-247 ad 6 g
至-268 4 g
HiPerFAST
TM
IGBT
和 二极管
至-268
(ixgt)
G
E
c (tab)
特性
国际的 标准 包装
moderate 频率 igbt 和
antiparallel fred 在 一个 包装
高 电流 处理 能力
newest 一代 hdmos
TM
处理
mos 门 转变-在
- 驱动 simplicity
产品
交流 发动机 速 控制
直流 伺服 和 robot 驱动
直流 choppers
uninterruptible 电源 供应 (ups)
转变-模式 和 resonant-模式
电源 供应
有利因素
空间 savings (二 设备 在 一个
包装)
高 电源 密度
优化 v
ce(sat)
和 切换
speeds 为 中等 频率
应用
V
CES
= 600 v
I
C25
= 60 一个
V
ce(sat)
= 1.8 v
t
fi(典型值)
= 100 ns
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixgh 30n60bd1
ixgt 30n60bd1
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