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G=门, C=集电级,
e = 发射级, TAB=集电级
标识 测试 情况 最大比率
V
CES
T
J
=25
°
C至150
°
C 600 V
V
CGR
T
J
= 25
°
c 至150
°
c; r
GE
= 1 m
Ω
600 V
V
GES
持续的
±
20 V
V
GEM
瞬时
±
30 V
I
C25
T
C
= 25
°
C60A
I
C90
T
C
= 90
°
C32A
I
CM
T
C
= 25
°
c, 1 ms 120 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
VJ
= 125
°
c, r
G
= 22
Ω
I
CM
= 64 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载, l = 100
µ
H @ 0.8V
CES
P
C
T
C
= 25
°
C 200 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
M
d
挂载 torque (m3) 至-247ad 1.13/10 nm/lb.在.
最大 含铅的 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
重量
至-247ad 6 g
至-268 4 g
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0 v 600 V
V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
2.5 5.0 V
I
CES
V
CE
= 0.8V
CES
T
J
= 25
°
C 200
µ
一个
V
GE
= 0 v T
J
= 150
°
C3mA
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
±
20 v
±
100 nA
V
ce(sat)
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v 2.3 V
HiPerFAST
TM
IGBT
V
CES
= 600 v
和 二极管
I
C25
= 60 一个
V
ce(sat)
= 2.3 v
t
fi(典型值)
= 85 ns
98749B (03/02)
C
(tab)
G
C
E
至-247 ad
(ixgh)
至-268
(ixgt)
G
E
C
(tab)
特性
•
国际的 标准 包装
•
高 频率 igbt 和 antiparallel
fred 在 一个 包装
•
高 电流 处理 能力
•
HiPerFAST
TM
HDMOS
TM
处理
•
mos 门 转变-在
-驱动 simplicity
产品
•
uninterruptible 电源 供应 (ups)
•
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
•
交流 发动机 速 控制
•
直流 伺服 和 robot 驱动
•
直流 choppers
有利因素
•
空间 savings (二 设备 在 一个
包装)
•
高 电源 密度
•
合适的 为 表面 挂载
•
非常 低 切换 losses 为 高
频率 产品
•
容易 至 挂载 和 1 screw,至-247
(insulated 挂载 screw 孔)
IXGH 32N60BD1
IXGT 32N60BD1
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