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remarks: 切换 时间 将
增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
remarks: 切换 时间 将
增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= i
C90
; v
CE
= 10 v, 20 28 S
脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环
2 %
C
ies
2500 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 210 pF
C
res
60 pF
Q
g
145 170 nC
Q
ge
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
23 35 nC
Q
gc
50 75 nC
t
d(在)
25 ns
t
ri
45 ns
t
d(止)
75 ns
t
fi
75 ns
E
止
0.3 mJ
t
d(在)
25 ns
t
ri
45 ns
E
在
0.5 mJ
t
d(止)
90 180 ns
t
fi
130 230 ns
E
止
0.6 1.4 mJ
R
thJC
0.62 k/w
R
thCK
0.25 k/w
inductive 加载, t
J
= 125
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 100
H
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 1.0
inductive 加载, t
J
= 25
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 100
h,
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 1.0
反转 二极管 (fred) 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
V
F
I
F
= i
C90
, v
GE
= 0 v, 1.8 V
脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
I
RM
I
F
= i
C90
, v
GE
= 0 v, -di
F
/dt = 100 一个/
s 1.5 1.8 一个
V
R
= 100 v; t
J
=100
C
t
rr
I
F
= 1 一个; -di/dt = 100 一个/
s; v
R
= 30 v T
J
=25
C30 ns
R
thJC
1k/w
至-247 ad (ixgh) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 19.81 20.32 0.780 0.800
B 20.80 21.46 0.819 0.845
C 15.75 16.26 0.610 0.640
D 3.55 3.65 0.140 0.144
E 4.32 5.49 0.170 0.216
F 5.4 6.2 0.212 0.244
G 1.65 2.13 0.065 0.084
H - 4.5 - 0.177
J 1.0 1.4 0.040 0.055
K 10.8 11.0 0.426 0.433
L 4.7 5.3 0.185 0.209
M 0.4 0.8 0.016 0.031
N 1.5 2.49 0.087 0.102
IXGH40N30BD1
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
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