IXKC13N80C_集成电路资料查询网

ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况,  和  维度.
标识 测试 情况 Characteristic 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
Q
g(在)
83 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 640 v, i
D
= 17 一个 9 nC
Q
gd
42 nC
t
d(在)
25 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 640v 15 ns
t
d(止)
I
D
= 17 一个, r
G
= 4.7
Ω
75 ns
t
f
10 ns
R
thJC
1.0 k/w
R
thCH
0.30 k/w
反转 传导 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
V
SD
I
F
= 6.5 一个, v
GS
= 0 v 1 1.2 V
便条 3
便条: 1. 场效应晶体管 碎片 能力
2. intrinsic 二极管 能力
3. 脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
便条: 所有 terminals 是 焊盘 镀有.
1 - 门
2 - 流
3 - 源
isoplus220  外形
ixkc 13n80c

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用一个或者更多的这下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 ixys reserves 这正确的至改变限制, 测试情况, 和维度. 标识测试情况 Characteristic 值 (t J = 25 ° c, 除非否则指定) 最小值典型值最大值 Q g(在) 83 nC Q gs V GS = 10 v, v DS = 640 v, i D = 17 一个 9 nC Q gd 42 nC t d(在) 25 ns t r V GS = 10 v, v DS = 640v 15 ns t d(止) I D = 17 一个, r G = 4.7 Ω 75 ns t f 10 ns R thJC 1.0 k/w R thCH 0.30 k/w 反转传导典型的值 (t J = 25 ° c, 除非否则指定) 标识测试情况最小值典型值最大值 V SD I F = 6.5 一个, v GS = 0 v 1 1.2 V 便条 3 便条: 1. 场效应晶体管碎片能力 2. intrinsic 二极管能力 3. 脉冲波测试, t ≤ 300 µ s, 职责循环 d ≤ 2 % 便条: 所有 terminals 是焊盘镀有. 1 - 门 2 - 流 3 - 源 isoplus220 外形 ixkc 13n80c

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com