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资料编号:413572
 
资料名称:IXTH12N100
 
文件大小: 106.76K
   
说明
 
介绍:
MegaMOS FET
 
 


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IXTH
10
N100 IXTH
12
N100
IXTM
10
N100 IXTM
12
N100
图.7 门 承担 典型的 曲线 图.8 向前 偏差 safe 运行 范围
图.11 瞬时 热的 阻抗
图.9 电容 曲线 图.10 源 电流 vs. 源
至 流 电压
V
DS
- 伏特
1 10 100 1000
I
D
- amperes
0.1
1
10
门 承担 - ncoulombs
0 255075100125150
V
GS
- 伏特
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 伏特
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
D
- amperes
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
0 5 10 15 20
电容 - pf
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
时间 - 秒
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
热的 回馈 - k/w
0.001
0.01
0.1
1
d=0.5
C
rss
C
oss
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
C
iss
限制 用 r
ds(在)
V
DS
= 500v
I
D
= 6a
I
G
= 10ma
单独的 脉冲波
f = 1mhz
V
DS
= 25v
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
d=0.2
d=0.1
d=0.05
d=0.01
d=0.02
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