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手机版
资料编号:419891
资料名称:
2SJ462
文件大小: 63.14K
说明
:
介绍
:
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ462
2
电的 规格 (t
一个
= +25 ˚c)
参数
标识
最小值
典型值
最大值
单位
情况
流 截-止 电流
I
DSS
–10
µ
AV
DS
= –12 v, v
GS
= 0
门 泄漏 电流
I
GSS
±
10
µ
AV
GS
=
±
8.0 v, v
DS
= 0
门 截-止 电压
V
gs(止)
–0.7
–1.0
–1.3
V
V
DS
= –3.0 v, i
D
= –1.0 毫安
向前 转移 admittance
|y
fs
|
1.5
S
V
DS
= –3.0 v, i
D
= –1.0 一个
流 至 源 在-状态
R
ds(在)1
195
290
m
Ω
V
GS
= –2.5 v, i
D
= –0.5 一个
阻抗
流 至 源 在-状态
R
ds(在)2
135
190
m
Ω
V
GS
= –4.0, i
D
= –1.0 一个
阻抗
输入 电容
C
iss
940
pF
V
DS
= –3.0 v, v
GS
= 0
输出 电容
C
oss
835
pF
f = 1.0 mhz
反转 转移 电容
C
rss
495
pF
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
45
ns
V
DD
= –3.0 v, i
D
= –1.0 一个
上升 时间
t
r
225
ns
V
gs(在)
= –3.0 v, r
G
= 10
Ω
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
140
ns
R
L
= 3.0
Ω
下降 时间
t
f
195
ns
总的 门 承担
Q
G
12
nC
V
DS
= –8 v, i
D
= –2.5 一个
门 至 源 承担
Q
GS
2nC
V
GS
= –3.0 v, i
G
= –2 毫安
门 至 流 承担
Q
GD
7nC
二极管 向前 电压
V
f(s–d)
–0.86
V
I
F
= –2.5 一个, v
GS
= 0
反转 恢复 时间
t
rr
150
ns
I
F
= –2.5 一个, v
GS
= 0
反转 恢复 承担
Q
rr
160
nC
di/dt = 50 一个/
µ
s
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