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资料编号:419891
 
资料名称:2SJ462
 
文件大小: 63.14K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
 
 


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2SJ462
2
电的 规格 (t
一个
= +25 ˚c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
流 截-止 电流 I
DSS
–10
µ
AV
DS
= –12 v, v
GS
= 0
门 泄漏 电流 I
GSS
±
10
µ
AV
GS
=
±
8.0 v, v
DS
= 0
门 截-止 电压 V
gs(止)
–0.7 –1.0 –1.3 V V
DS
= –3.0 v, i
D
= –1.0 毫安
向前 转移 admittance |y
fs
| 1.5 S V
DS
= –3.0 v, i
D
= –1.0 一个
流 至 源 在-状态 R
ds(在)1
195 290 m
V
GS
= –2.5 v, i
D
= –0.5 一个
阻抗
流 至 源 在-状态 R
ds(在)2
135 190 m
V
GS
= –4.0, i
D
= –1.0 一个
阻抗
输入 电容 C
iss
940 pF V
DS
= –3.0 v, v
GS
= 0
输出 电容 C
oss
835 pF f = 1.0 mhz
反转 转移 电容 C
rss
495 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
45 ns V
DD
= –3.0 v, i
D
= –1.0 一个
上升 时间 t
r
225 ns
V
gs(在)
= –3.0 v, r
G
= 10
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
140 ns
R
L
= 3.0
下降 时间 t
f
195 ns
总的 门 承担 Q
G
12 nC V
DS
= –8 v, i
D
= –2.5 一个
门 至 源 承担 Q
GS
2nC
V
GS
= –3.0 v, i
G
= –2 毫安
门 至 流 承担 Q
GD
7nC
二极管 向前 电压 V
f(s–d)
–0.86 V I
F
= –2.5 一个, v
GS
= 0
反转 恢复 时间 t
rr
150 ns I
F
= –2.5 一个, v
GS
= 0
反转 恢复 承担 Q
rr
160 nC
di/dt = 50 一个/
µ
s
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