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资料编号:419979
 
资料名称:2SJ484
 
文件大小: 43.6K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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2SJ484
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
–30 V I
D
= –10ma, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
20——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
零 门 voltege 流
电流
I
DSS
–10
µ
AV
DS
= –30 v, v
GS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
16v, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–1.0 –2.0 V I
D
= –1ma, v
DS
= –10v
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗
R
ds(在)
0.18 0.23
I
D
= –1a, v
GS
= –10v*
1
R
ds(在)
0.3 0.45
I
D
= –1a, v
GS
= –4v*
1
向前 转移 admittance |y
fs
| 1.2 2.0 S I
D
= –1a, v
DS
= –10v*
1
输入 电容 Ciss 230 pF V
DS
= –10v
输出 电容 Coss 140 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 50 pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10 ns I
D
= –1a, r
L
= 30
上升 时间 t
r
30 ns V
GS
= –10v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—35—ns
下降 时间 t
f
—30—ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
–0.95 V I
F
= –2a, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
60 ns I
F
= –2a, v
GS
= 0
dif/ dt = 50a/
µ
s
注释: 1. 脉冲波 测试
2. 标记 是 “wy”.
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