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资料编号:420765
资料名称:
2SJ554
文件大小: 55.04K
说明
:
介绍
:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
: 点此下载
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ554
3
主要的 特性
200
150
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50
0
50
100
150
200
–100
–10
–1
–0.1
–0.1
–1
–10
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
–1–2–3–4–5
–100
–1000
–50
–40
–30
–20
–10
-25 °c
25 °c
tc = 75 °c
ta = 25 °c
DS
v = –10 v
–50
–40
–30
–20
–10
–2.5 v
–2 v
v = –10 v
GS
–8 v
–5 v
–3.5 v
–3 v
–4 v
直流 运作
1 ms
10 µs
pw = 10 m(1 shot)
100 µs
频道 消耗 pch (w)
cace 温度 tc (°c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
流 至 源 电压 v (v)
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
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