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手机版
资料编号:420782
资料名称:
2SJ550
文件大小: 56.87K
说明
:
介绍
:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sj550(l),2sj550(s)
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–20
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200
500
100
20
10
50
v = 0
f = 1 mhz
GS
Ciss
Coss
Crss
–100
v = –10 v
–25 v
–50 v
DD
i = –15 一个
D
V
GS
V
DS
v = –50 v
–25 v
–10 v
DD
–0.1
–0.2
–1
–2
–10
–20–5
–0.5
v = –10 v, v = –30 v
pw = 5 µs, 职责 < 1 %
GS
DD
t
f
r
t
d(在)
t
d(止)
t
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
动态 输入 特性
流 电流 i (一个)
D
切换 时间 t (ns)
切换 特性
500
200
100
20
50
10
5
–0.1
–0.3
–3–1
–10
di / dt = 50 一个 / µs
v = 0, ta = 25 °c
GS
–20
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
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