初步的 数据 薄板 d14646ej1v0ds
2
2SJ601
电的 特性 (t
一个
= 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –60
v, v
GS
= 0
V –10
µ
一个
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
m
20
v, v
DS
= 0
V
m
10
µ
一个
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= –10
v, i
D
= –1
毫安 1.5 2.0 2.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
| V
DS
= –10
v, i
D
= –18
A1530S
R
ds(在)1
V
GS
= –10
v, i
D
= –18
A2531m
Ω
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)2
V
GS
= –4.0
v, i
D
= –18
A3246m
Ω
输入 电容 C
iss
V
DS
= –10
V 3300 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0
V 580 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1
MHz 230 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= –30
v, i
D
= –18
A11ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= –10
V12ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
R
G
= 0
Ω
80 ns
下降 时间 t
f
53 ns
总的 门 承担 Q
G
V
DD
= –48
V63nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
GS
= –10
V10nC
门 至 流 承担 Q
GD
I
D
= –36
A16nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= –36
一个, v
GS
= 0
v1.0v
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= –36
一个, v
GS
= 0
V52ns
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = –100
一个
/
µ
s 108 nC
测试 电路 1 avalanche 能力
R
G
= 25
Ω
50
Ω
PG
L
V
DD
V
GS
= –20 v
→
0 v
BV
DSS
I
作
I
D
V
DS
开始 t
ch
V
DD
d.u.t.
测试 电路 3 门 承担
测试 电路 2 切换 时间
pg.
R
G
0
V
GS
(
−
)
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1
s
µ
职责 循环
≤
1%
V
GS
波 表格
V
DS
波 表格
V
GS
(
−
)
10%
90%
V
GS
(在)
10%
0
V
DS
(
−
)
90%
90%
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10%
τ
V
DS
0
t
在
t
止
pg.
50
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
=
−
2 毫安
−
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