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资料编号:421764
 
资料名称:2SJ602-ZJ
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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数据 薄板 d14647ej3v0ds
6
2SJ602
单独的 avalanche 活力
减额 因素
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 -
˚
C
活力 减额 因素 - %
25 50
75 100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
125 150
V
DD
=
30 v
R
G
= 25
V
GS
=
20
0 v
I
20 一个
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
l - inductive 加载 - h
I
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
1
10
100
1
m10
m
V
DD
=
30
V
R
G
= 25
V
GS
=
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0
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=
20
一个
10
µ
100
µ
0.1
E
=
40 mj
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