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资料编号:421764
资料名称:
2SJ602-ZJ
文件大小: 82K
说明
:
介绍
:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14647ej3v0ds
6
2SJ602
单独的 avalanche 活力
减额 因素
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 -
˚
C
活力 减额 因素 - %
25
50
75
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
125
150
V
DD
=
–
30 v
R
G
= 25
Ω
V
GS
=
–
20
→
0 v
I
作
≤
–
20 一个
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
l - inductive 加载 - h
I
作
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
1
10
100
1
m10
m
V
DD
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=
–
20
一个
10
µ
100
µ
0.1
E
作
=
40 mj
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