电的 规格
SIDAC 9-2 teccor electronics
(972) 580-7777
一般 注释
• 所有 度量 是 制造 在 60hz 和 一个 resistive 加载 在 一个
包围的 温度 的 +25°c 除非 否则 指定.
• 存储 温度 范围 (t
S
) 是 -65°c 至 +150°c.
•the 情况 (t
C
) 或者 含铅的 (t
L
) 温度 是 量过的 作 显示 在
这 dimensional 外形 绘画. 看 “package dimensions” 秒-
tion 的 这个 catalog.
• 接合面 温度 范围 (t
J
) 是 -40°c 至 +125°c.
• 含铅的 焊盘 温度 是 一个 最大 的 +230°c 为 10 秒
最大;
≥
1/16" (1.59mm) 从 情况.
电的 规格 注释
(1) 看 图示 9.6 为 v
BO
改变 vs 接合面 温度.
(2) 看 图示 9.7 为 i
BO
vs 接合面 温度.
(3) 看 图示 9.2 为 i
H
vs 情况 温度.
(4) 看 图示 9.14 为 测试 电路.
(5) 看 图示 9.1 为 更多 比 一个 全部 循环 比率.
(6) R
θ
JA
为 至-202 类型 23 和 类型 41 是 70°c/watt.
(7) T
C
≤
90°c 为 至-92 sidac 和 t
C
≤
105°c 为 至-202 sidacs.
T
L
≤
100°c 为 做-15x 和 t
L
≤
90°c 为 做-214aa.
(8) 看 图示 9.15 为 clarification 的 sidac 运作.
(9) 为 最好的 sidac 运作, 这 加载 阻抗 应当 是 near 或者
较少 比 切换 阻抗.
(10) teccor's 新, 改进 序列 的 sidacs 是 设计 至 确保
好的commutation 在 高等级的切换 发生率 作必需的 在ignitor
电路 为 高 强烈 释放 (hid) lighting. 一个 典型 电路
为 一个 metal halide lamp ignitor 是 显示 在 这 图式, 图示
9.3. 和 恰当的 组件 选择 这个 电路 将 生产 三
脉冲 为 ignition 的 osram lamp 类型 此类 作 hqi-t70w, hqi-
t150w, 和 hqi-t250w 这个 需要 一个 最小 的 三 脉冲
在 4kv 巨大 和 >1
µ
s 持续时间 各自 在 一个 最小 repetition
比率 的 3.3khz.
Type
部分 非.
I
t(rms)
V
DRM
V
BO
I
DRM
I
BO
至-92
e 包装
做-15x
g 包装
至-202ab
f 包装
做-214aa
s 包装
在-状态
rms 电流
T
J
≤
125°C
50/60hz
sine 波
(7) (8)
放大器
Repetitive
顶峰
止-状态
电压
伏特
breakover 电压
50/60hz sine 波
(1)
Volts
Repetitive
顶峰
止-状态
电流
50/60hz
sine 波
V=V
DRM
µAmps
Breakover
电流
50/60hz
sine 波
µAmps
看 “package dimensions” 部分 为 变化. 最大值 最小值 最小值 最大值 最大值 最大值
K1050E70 K1050G K1050S 1.0 ±90 95 113 5 10
K1100E70 K1100G K1100S 1.0 ±90 104 118 5 10
K1200E70 K1200G K1200S 1.0 ±90 110 125 5 10
K1300E70 K1300G K1300S 1.0 ±90 120 138 5 10
K1400E70 K1400G K1400S 1.0 ±90 130 146 5 10
K1500E70 K1500G K1500S 1.0 ±90 140 170 5 10
K2000E70 K2000G K2000F1 K2000S 1.0 ±180 190 215 5 10
K2200E70 K2200G K2200F1 K2200S 1.0 ±180 205 230 5 10
K2400E70 K2400G K2400F1 K2400S 1.0 ±190 220 250 5 10
K2401F1 1.0 (10) ±190 220 250 5 10
K2500E70 K2500G K2500F1 K2500S 1.0 ±190 240 280 5 10
K3000F1 1.0 ±190 270 330 5 10
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