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资料编号:433355
 
资料名称:K4D551638F-TC33
 
文件大小: 206.99K
   
说明
 
介绍:
256Mbit GDDR SDRAM
 
 


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256m gddr sdram
k4d551638f-tc
- 10 -
rev 1.7 (六月 2004)
目标 规格
永久的 设备 损坏 将 出现 如果绝对 最大 比率 是 超过.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 运行 情况.
暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 扩展 每iods 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
便条 :
电源 &放大; 直流 运行 情况(sstl_2 在/输出)
推荐 运行 情况(电压 关联 至 v
SS
=0v, t
一个
=0 至 65
°
c)
参数 标识 最小值 Typ 最大值 单位 便条
设备 供应 电压 V
DD
2.5 2.6 2.7 V 1, 7
输出 供应 电压 V
DDQ
2.5 2.6 2.7 V 1
涉及 电压 V
REF
0.49*v
DDQ
- 0.51*v
DDQ
V2
末端 电压 Vtt V
REF
-0.04 V
REF
V
REF
+0.04 V 3
输入 逻辑 高 电压 V
ih(直流)
V
REF
+0.15 - V
DDQ
+0.30 V 4
输入 逻辑 低 电压 V
il(直流)
-0.30 - V
REF
-0.15 V 5
输出 逻辑 高 电压 V
OH
vtt+0.76 - - V I
OH
=-15.2ma
输出 逻辑 低 电压 V
OL
- - vtt-0.76 V I
OL
=+15.2ma
输入 泄漏 电流 I
IL
-5 - 5 uA 6
输出 泄漏 电流 I
OL
-5 - 5 uA 6
绝对 最大 比率
参数 标识 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss V
, v
输出
-0.5 ~ 3.6 V
电压 在 v
DD
供应 相关的 至 vss V
DD
-1.0 ~ 3.6 V
电压 在 v
DDQ
供应 相关的 至 vss V
DDQ
-0.5 ~ 3.6 V
存储 温度 T
STG
-55 ~ +150
°
C
电源 消耗 P
D
2.0 W
短的 电路 电流 I
OS
50 毫安
1. 下面 所有 情况 v
DDQ
必须 是 较少 比 或者 equal 至 v
DD
.
2. v
REF
是 预期的 至 equal 0.50*v
DDQ
的 这 transmitting 设备 和 至追踪 变化 在 这 直流水平的 的 这 一样. 顶峰 至
顶峰 噪音 在 这 v
REF
将 不 超过 +
2% 的 这 直流 值. 因此, 从 0.50*v
DDQ
, v
REF
是 允许 +
25mv 为 直流 错误
和 一个 额外的 +
25mv 为 交流 噪音.
3. v
tt
的 这 transmitting设备 必须 追踪 v
REF
的 这 接到 设备.
4. v
IH
(最大值.)= v
DDQ
+1.5v 为 一个 脉冲波 宽度 和 它 能 不是 更好 比 1/3 的 这 循环 比率.
5. v
IL
(mim.)= -1.5v 为 一个 脉冲波 宽度 和 它 能不 是 更好 比 1/3 的 这 循环 比率.
6. 为 任何 管脚 下面 测试 输入 的 0v <
V
<V
DD
是 可接受的. 为 所有 其它管脚 那 是 不 下面 测试 v
=0v.
7. 为 这 k4d551638f-tc60 , vdd &放大; vddq =2.5v +
5%
, 为 这 k4d551638f-tc36 , vdd &放大; vddq =2.8v +
0.1v
和 为 这 k4d551638f-tc33 , vdd &放大; vddq = 2.8v ~ 2.95v
便条 :
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