首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:433773
 
资料名称:K4J55323QF-GC16
 
文件大小: 1027.12K
   
说明
 
介绍:
256Mbit GDDR3 SDRAM
 
 


: 点此下载
  浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第8页
8

9
浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号K4J55323QF-GC16的Datasheet PDF文件第13页
13
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
- 9 -
256m gddr3 sdram
k4j55323qf-gc
rev 1.8 (apr. 2005)
INITIALIZATION
gddr3 sdrams 必须 是 powered 向上 和 initialized 在 一个predefined manner. 运算的 程序 其它 比
那些
指定 将 结果 在未阐明的 运作.
1. 应用 电源 和 保持 cke/重置 在低 状态 ( 所有 其它 输入 将 是 未阐明的)
- 应用 vdd 和 vddq 同时发生地
- 应用 vddq 在之前 vref. ( inputs 是 不 公认的 作 有效的 直到 之后 v
REF
是 应用 )
2. 必需的 最小 100us 为 这 stable 电源 在之前 重置 管脚 转变 至 高
- 在之上 电源-向上 这 地址/command 起作用的 末端 值 将 automatically 是 set 为基础 止 这 状态 的 重置 和cke.
- 在 这 rising 边缘 的 重置 这 cke 管脚 是latched 至 决定 这 地址 一个d command 总线 末端 值.
如果 cke 是 抽样 在一个 零 这 地址 末端 是 设置 至 1/2 的 zq.
如果 cke 是 抽样 在 一个 一个 这 地址 末端 是 设置 至 zq.
- 重置 必须 是 maintained 在 一个 逻辑 低 水平的 和 cs在 一个 逻辑 高 值 在 power-向上 至 确保 那 这 dq outputs 将
是 在 一个 高-z 状态, 所有起作用的 terminators 止, 和 所有 dlls 止.
4. 最小 200us 延迟 必需的 较早的 至 applying 任何 executable command 之后 稳固的 电源 和 时钟.
5. once 这 200us 延迟 有 被 satisfied, 一个 deselect或者 nop command 应当 是 应用, 然后 重置 和 cke 应当 是
brought 至 高,
6. 公布 一个 precharge 所有 command 下列的 之后 nop command.
7. 公布 一个 dummy mrs command ("00001000100001")
8. 公布 一个 emrs command (ba1ba0="01") 至 使能 这 dll.
9. 公布 mrs command (ba0ba1 = "00") 至 re设置 这 dll 和 至 程序 这 运行 参数.
20k 时钟 循环 是 必需的 至 锁 这 dll.
9. 公布 一个 precharge 所有 command
10 . 公布 在 least 二 自动 refresh command 至 update 这 驱动器 阻抗 和 calibrate 这 输出 驱动器.
下列的 这些 (所需的)东西, 这 gddr3 sdram 是 准备好 为 正常的 运作.
代号
V
DD
V
DDQ
V
REF
CK
CK
RES
CKE
CKE
COMMAND
DM
a0-a7, a9-a11
A8
ba0, ba1
RDQS
WDQS
DQ
RA
代号
代号
bao=l,
NOP
Dummy
EMRS MRS AR AR
ba1 =l
bao=l,
ba1 =l
T=10ns
电源-向上:
V
DD
和 ck 稳固的
t = 200us
tRP tMRD tRFCtRP tRFC
加载 扩展
模式 寄存器
tMRD
20k 循环
加载 模式 寄存器
t
t
IH
代号
t
t
IH
t
t
IH
t
t
IH
t
t
IH
t
t
IH
T0 T1 Ta0 Tb0 Tc0 Td0 Te0 Tf0
t
ATS
t
ATH
t
CH
t
CL
t
t
IH
Precharge
所有 banks
Precharge
所有 banks
1st
自动 refresh
2nd
自动 refresh
dll 重置
所有 banks
所有 banks
代号
bao=h,
ba1 =l
t
t
IH
代号
t
t
IH
t
t
IH
RA
BA
tMRD
ACT
MRS
加载 模式 寄存器
(dummy mrs)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com