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资料编号:433790
 
资料名称:K4M281633F-C
 
文件大小: 114.34K
   
说明
 
介绍:
2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
 
 


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k4m281633f - r(b)e/n/g/c/l/f
12月 2003
mobile-sdram
simplified 真实 表格
(v=有效的, x=don
t 小心, h=逻辑 高, l=逻辑 low)
注释 :
1. 运算 代号 : operand 代号
a0 ~ a11 &放大; ba0 ~ ba1 : 程序 keys. (@mrs)
2. mrs 能 是 issued 仅有的 在 所有 banks precharge 状态.
一个 新 command 能 是 issued 之后 2 clk 循环 的 mrs.
3. 自动 refresh 功能 是 这 一样 作 cbr refresh 的 dram.
这 automatical precharge 没有 row precharge command 是 meant 用 "自动".
自动/自 refresh 能 是 issued 仅有的 在 所有 banks precharge 状态.
partial 自 refresh 能 是 issued 仅有的 之后 设置 partial 自 refresh 模式 的 emrs.
4. ba0 ~ ba1 : bank 选择 地址.
5. 在 burst 读 或者 写 和 自动 precharge, 新 读/写 command 能 不 是 issued.
另一 bank 读/写 command 能 是 issued 之后 这 终止 的 burst.
新 行 起作用的 的 这 有关联的 bank 能 是 issued 在 trp 之后 这 终止 的 burst.
6. burst 停止 command 是 有效的 在 每 burst 长度.
7. dqm 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 clk masks 这 数据-在 在 那 一样 clk 在 写 运作 (写 dqm latency 是 0), 但是 在 读 运作,
它 制造 这 数据-输出 hi-z 状态 之后 2 clk 循环. (读 dqm latency 是 2).
COMMAND cken-1 CKEn CS RAS CAS 我们 DQM ba0,1 a10/ap
a11,
a9 ~ a0
便条
寄存器 模式 寄存器 设置 H X L L L L X 运算 代号 1, 2
Refresh
自动 refresh
H
H
L L L H X X
3
Refresh
Entry L 3
Exit L H
L H H H
X X
3
H X X X 3
bank 起作用的 &放大; 行 地址. H X L L H H X V 行 地址
读 &放大;
column 地址
自动 precharge 使不能运转
H X L H L H X V
L Column
地址
(a0~a8)
4
自动 precharge 使能 H 4, 5
写 &放大;
column 地址
自动 precharge 使不能运转
H X L H L L X V
L Column
地址
(a0~a8)
4
自动 precharge 使能 H 4, 5
burst 停止 H X L H H L X X 6
Precharge
bank 选择
H X L L H L X
V L
X
所有 banks X H
时钟 suspend 或者
起作用的 电源 向下
Entry H L
H X X X
X
XL V V V
Exit L H X X X X X
precharge 电源 向下
模式
Entry H L
H X X X
X
X
L H H H
Exit L H
H X X X
X
L V V V
DQM H X V X 7
非 运作 command H X
H X X X
X X
L H H H
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