K4S160822D cmos sdram
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rev. 1.0 (oct. 1999)
1. 除非 否则 注释, 输入 水平的 是 cmos(vIH/vIL=VDDQ/vSSQ) 在 lvttl.
2. 量过的 和 输出 打开.
3. refresh 时期 是 32ms.
4. k4s160822dt-g**
5. k4s160822dt-f**
注释 :
直流 特性
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 标识 测试 情况
CAS
Latency
版本
单位 便条
-7 -8 -h -l -10
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
ICC1
burst 长度 = 1
tRC
≥
tRC(最小值)
Io= 0 毫安
100 90 85 85 75 毫安 1
precharge 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
ICC2P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 15ns 2
毫安
ICC2PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
2
precharge 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
ICC2N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
15
毫安
ICC2NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
5
起作用的 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
ICC3P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 15ns 3
毫安
ICC3PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
3
起作用的 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
ICC3N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
25 毫安
ICC3NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
15 毫安
运行 电流
(burst 模式)
ICC4
Io= 0 毫安
页 burst
2banks 使活动
tCCD= 2clks
3 120 110 95 95 95
毫安 1
2 95 85 95 85 85
refresh 电流 ICC5 tRC
≥
tRC(最小值) 90 80 毫安 2
自 refresh 电流 ICC6 CKE
≤
0.2v
1 毫安 3
250 uA 4
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