cmos sdram
sdram 512mb b-消逝 (x4, x8, x16)
修订. 1.1 8月 2004
部分 非. Orgainization 最大值 freq. 接口 包装
k4s510432b-uc(l)75 128mb x 4 133MHz LVTTL 54pin tsop(ii)
k4s510832b-uc(l)75 64mb x 8 133MHz LVTTL 54pin tsop(ii)
k4s511632b-uc(l)75 32mb x 16 133MHz LVTTL 54pin tsop(ii)
这 k4s510432b / k4s510832b / k4s511632b 是 536,870,912 位同步的 高 数据 比率 动态 内存 有组织的 作 4 x
33,554,432 words 用 4 位 / 4 x 16,777,216 words 用 8 位 / 4 x8,388,608 words 用 16 位, fabricated 和 samsung's 高perfor-
mance cmos 技术. 同步的 设计 准许 准确的 循环 内容rol 和 这 使用 的 系统 clock i/o transactions 是 possible
在 每 时钟 循环. 范围 的 运行 frequencies, 可编程序的 burst 长度 和 programmable latencies 准许 这 一样 device 至
是 有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽,高 效能 记忆 系统 产品.
• 电子元件工业联合会 标准 3.3v 电源 供应
• lvttl 兼容 和 多路复用 地址
• 四 banks 运作
• mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency (2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
• 所有 输入 是 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 这 系统 时钟.
• burst 读 单独的-位 写 运作
• dqm (x4,x8) &放大; l(u)dqm (x16) 为 masking
• 自动 &放大; 自 refresh
• 64ms refresh 时期 (8k 循环)
•
54 tsop(ii)
铅-自由 包装
• rohs 一致的
一般 描述
特性
32m x 4bit x 4 banks / 16m x 8bit x 4 banks / 8m x 16bit x 4 banks sdram
订货 信息
行 &放大; column 地址 配置
Organization 行 地址 column 地址
128Mx4 A0~A12 a0-a9, a11, a12
64Mx8 A0~A12 a0-a9, a11
32Mx16 A0~A12 a0-a9
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