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资料编号:434311
 
资料名称:K6F2008U2E-YF70
 
文件大小: 130.93K
   
说明
 
介绍:
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
 
 


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修订 2.0
cmos sramk6f2008u2e 家族
4
april 2002
推荐 直流 运行 情况
1)
便条:
1. 工业的 产品: t一个=-40 至 85
°
c, 除非 否则 指定
2. 越过: vcc+2.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
20ns
3. undershoot: -2.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
20ns
4. 越过 和 undershoot 是 抽样, 不 100% 测试.
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 Vcc 2.7 3.0 3.3 V
地面 Vss 0 0 0 V
输入 高 电压 VIH 2.2 -
vcc+0.2
2)
V
输入 低 电压 VIL
-0.2
3)
- 0.6
电容
1)
(f=1mhz, t一个=25
°
c)
1. 电容 是 抽样, 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入 电容 C V=0V - 8 pF
输入/输出 电容 CIO VIO=0V - 10 pF
直流 和 运行 特性
1. 典型 值 是 量过的 在 vCC=3.0v, t一个=25
°
c, 和 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 最小值
典型值
1)
最大值 单位
输入 泄漏 电流 ILI V=vss 至 vcc -1 - 1
µ
一个
输出 泄漏 电流 ILO CS1=VIH或者 cs2=VIL或者OE=VIH或者我们=Vil,VIO=vss 至 vcc -1 - 1
µ
一个
平均 运行 电流
ICC1
循环 时间=1
µ
s, 100% 职责, iIO=0ma,CS1
0.2v,
CS2
VCC-0.2v, v
0.2v 或者 v
VCC-0.2v
- - 2 毫安
ICC2
循环 时间=最小值, 100% 职责, iIO=0ma,CS1=VIL,
CS2=VIH, v=VIL或者 vIH
70ns - - 15 毫安
55ns - - 20 毫安
输出 低 电压 VOL IOL=2.1ma - - 0.4 V
输出 高 电压 VOH IOH=-1.0ma 2.4 - - V
备用物品 电流(cmos) ISB1
其它 输入=vss 至 vcc
1)CS1
vcc-0.2v, cs2
vcc-0.2v(CS1控制) 或者
2) 0v
CS2
0.2v cs2控制)
- 0.5 10
µ
一个
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