cmos sramk6t1008c2e 家族
修订 3.0
march 2000
2
128kx8 位 低 电源 cmos 静态的 内存
一般 描述
这 k6t1008c2e families 是 fabricated 用 samsung
′
s
先进的 cmos 处理 技术. 这 families 支持
各种各样的 运行 温度 范围 和 有 各种各样的 包装-
age 类型 为 用户 flexibility 的 系统 设计. 这 families
也 支持 低 数据 保持 电压 为 电池 后面的-向上
运作 和 低 数据 保持 电流.
特性
•
处理 技术: tft
•
organization: 128kx8
•
电源 供应 电压: 4.5~5.5v
•
低 数据 保持 电压: 2v(最小值)
•
三 状态 输出 和 ttl 兼容
•
包装 类型: 32-插件-600, 32-sop-525,
32-tsop1-0820f/r
管脚 描述
名字 函数
CS1, cs2 碎片 选择 输入
OE 输出 使能 输入
我们 写 使能 输入
i/o1~i/o8 数据 输入/输出
一个0~A16 地址 输入
Vcc 电源
Vss 地面
n.c. 非 连接
产品 家族
1. 这 参数 是 测试 和 50pf 测试 加载
产品 家族 运行 温度 vcc 范围 速
电源 消耗
pkg 类型
备用物品
(iSB1, 最大值)
运行
(icc2,最大值)
k6t1008c2e-l
商业的(0~70
°
c)
4.5~5.5v 55
1)
/70ns
50
µ
一个
50mA
32-插件-600, 32-sop-525
32-tsop1-0820f/r
k6t1008c2e-b 10
µ
一个
k6t1008c2e-p
工业的(-40~85
°
c)
50
µ
一个
32-sop -525
32-tsop1-0820f/r
k6t1008c2e-f 15
µ
一个
函数的 块 图解
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至 改变 产品 和 规格 没有 注意.
precharge 电路.
记忆 排列
1024 rows
128
×
8 columns
i/o 电路
column 选择
clk gen.
行
选择
i/o1
数据
内容
数据
内容
i/o8
CS1
我们
OE
CS2
控制
逻辑
A11
A9
A8
A13
我们
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CS1
i/o8
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
VSS
i/o3
i/o2
i/o1
A0
A1
A2
A3
type1-向前
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
n.c
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o1
i/o2
i/o3
VSS
VCC
A15
CS2
我们
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
i/o8
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-插件
32-tsop
32-sop
column 地址
Raw
地址
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
NC
VCC
A15
CS2
我们
A13
A8
A9
A11
A3
A2
一个1
A0
i/o1
i/o2
i/o3
VSS
i/o4
i/o5
i/o6
i/o7
i/o8
CS1
A10
OE
type1-反转
17
18
19
20
21
22
23
24
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26
27
28
29
30
31
32
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
32-tsop
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