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资料编号:434573
 
资料名称:K6T4008C1B-VB70
 
文件大小: 171K
   
说明
 
介绍:
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
k6t4008c1b 家族
cmos sram
修订 3.0
九月 1998
2
512kx8 位 低 电源 cmos 静态的 内存
一般 描述
这 k6t4008c1b families 是 fabricated 用 samsung
s
先进的 cmos 处理 技术. 这 families 支持
各种各样的 运行 温度 范围 和 各种各样的 包装
类型 为 用户 flexibility 的 系统 设计. 这 家族 也
支持 低 数据 保持 电压 为 电池 后面的-向上 oper-
ation 和 低 数据 保持 电流.
特性
处理 技术: tft
organization: 512kx8
电源 供应 电压: 4.5~5.5v
低 数据 保持 电压: 2v(最小值)
三 状态 输出 和 ttl 兼容
包装 类型: 32-插件-600, 32-sop-525
32-tsop2-400f/r
管脚 描述
管脚 名字 函数
我们 写 使能 输入
CS 碎片 选择 输入
OE 输出 使能 输入
一个0~A18 地址 输入
i/o1~i/o8 数据 输入/输出
Vcc 电源
Vss 地面
产品 家族
1. 这 参数 是 量过的 和 50pf 测试 加载.
产品 家族 运行 温度 vcc 范围
电源 消耗
pkg 类型
备用物品
(iSB1, 最大值)
运行
(iCC2, 最大值)
k6t4008c1b-l
商业的 (0~70
°
C
)
4.5~5.5v
55
1)
/70ns
100
µ
一个
20
µ
一个
80mA
32-插件-600, 32-sop-525
32-tsop2-400f/r
k6t4008c1b-b
k6t4008c1b-p
inderstrial (-40~85
°
C
)
100
µ
一个
50
µ
一个
32-sop-525
32-tsop2-400f/r
k6t4008c1b-f
函数的 块 图解
32-插件
32-sop
(向前)
32-tsop2
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o1
i/o2
i/o3
VSS
VCC
A15
我们
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
i/o8
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
32
31
30
29
28
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26
25
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23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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12
13
14
15
16
32-tsop2
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o1
i/o2
i/o3
VSS
VCC
A15
我们
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
i/o8
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
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14
15
16
(反转)
A18
A17
A17
A18
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至 改变 产品 和 规格 没有 注意.
A3
precharge 电路.
记忆 排列
1024 rows
512
×
8 columns
i/o 电路
column 选择
clk gen.
选择
A9 A8 A13A17 A15 A11A10
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A4
i/o1 数据
内容
数据
内容
i/o8
A5
A1
A0
A2
CS
我们
OE
控制
逻辑
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