k6x8016t3b 家族
修订 1.0
九月 2003
8
cmos sram
地址
CS
数据 有效的
UB,LB
我们
数据 在
数据 输出
高-z
高-z
定时 波形 的 写 循环(3)
(UB,LB控制)
注释
(写 循环)
1. 一个 write occurs 在 这 overlap(tWP) 的 低CS和 低我们. 一个 写 begins 当CS变得 低 和我们变得 低 和 assertingUB
或者LB为 单独的 字节 运作 或者 同时发生地 assertingUB和LB为 翻倍 字节 运作. 一个 写 ends 在 这 earliest transi-
tion 当CS变得 高 和我们变得 高. 这tWP是 量过的 从 这 beginning 的 写 至 这 终止 的 写.
2.tCW是 量过的 从 这CSgoing 低 至 这 终止 的 写.
3. t作是 量过的 从 这 地址 有效的 至 这 beginning 的 写.
4.tWR是 量过的 从 这 终止 的 写 至 这 地址 改变.tWR应用 在 情况 一个 写 ends 作CS或者我们going 高.
tWC
tcw(2)
tBW
twp(1)
tDH
tDW
twr(4)
tAW
数据 保持 波 表格
CS控制
VCC
2.7v
2.2v
VDR
CS
地
数据 保持 模式
CS
≥
VCC- 0.2v
tSDR
tRDR
t作(3)
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